上海實驗室搬運公司
2021-03-27
來自:
亞瑟半導體設備安裝（上海）有限公司
瀏覽次數(shù):198
上海實驗室搬運公司實驗室搬遷上海實驗室搬運公司觀察到在2002年5月，上海實驗室搬運公司撰文談到了當時功率半導體領域一項長期發(fā)展的技術(shù)：
氮化鎵（GaN）。
在那篇實驗室搬遷文章中，他們對氮化鎵在當時新生的寬帶無線網(wǎng)絡，雷達以及電網(wǎng)的電源開關(guān)應用中中的前景表示了樂觀的看法。
他們實驗室搬遷是正確的。GaN的寬帶隙（使束縛的電子斷裂并促進傳導所需的能量）和其他品質(zhì)使我們能夠利用這種材料的高電場耐受能力如今，GaN已成為固態(tài)射頻功率應用領域無可爭議它已經(jīng)出現(xiàn)在雷達，5G無線領域，并很快將在電動汽車中使用的功率逆變器中普及?，F(xiàn)在，您甚至可以隨意購買基于GaN器件設計的USB充電器，在其緊湊的尺寸中，提供了顯著的高功率水平。不過，即使如次，我們還是會問，還有比GaN東西嗎？有什么可以使RF放大器更強大有什么能使電力電子設備進一步縮小，進一步減輕飛機和汽車的負擔嗎？我們能找到帶隙更大但仍可以導電的材料嗎？其實市場上實驗室搬遷具有不過擁有不少帶隙的材料，但是量子力學的特殊性意味著他們當中的大多數(shù)幾乎都不能用作半導體。然而，有一個引人注目的候選：透明的導電氧化物——氧化鎵（Ga2O3）。憑借其在接近5電子伏特的寬帶隙，氧化鎵GaN（3.4eV）一英里，與硅（1.1eV）相比，優(yōu)勢更是大到一個馬拉松。我們知道，金剛石和氮化鋁的帶隙也較大，但它們不具有Ga2O3所具有的特性，這是一組幸運的特性，可用于制造廉價但功能強大的器件。僅材料具有寬的帶隙是不夠的，因為如果這樣的話，所有電介質(zhì)和陶瓷都可以，這也是它們只能用作絕緣體的原因。但是氧化鎵具有品質(zhì)組合，可以使其非常有用，可作為功率開關(guān)和RF電子設備的材料候選。
