隨著***TEM-透射電鏡》搬運(yùn)裝卸的亞瑟來看待半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻的精度不斷提高，已由微米級、亞微米級、深亞微米級，細(xì)化到當(dāng)前的納米級，曝光光源的波長也由436納米（G線）、365納米（Ⅰ線），發(fā)展到248納米（KrF）、193納米（ArF），再到13.5納米（EUV）。EUV是線寬突破10納米，甚至之后的7納米、5納米、3納米工藝的關(guān)鍵。精?密?設(shè)?備?搬?運(yùn)?報(bào)告顯示，半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩膜上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程需要通過光刻來實(shí)現(xiàn)。光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生產(chǎn)中需要進(jìn)行20~30次的光刻，耗時(shí)占到IC生產(chǎn)環(huán)節(jié)的50%左右，占芯片生產(chǎn)成本的1/3。如果采用EUV，晶圓廠可以減少將芯片設(shè)計(jì)縮小所遇到的光學(xué)麻煩，并在此過程中省去一些多重圖形曝光（multi-patterning）步驟，在理想情況下能夠節(jié)省成本和時(shí)間，提高良品率。也正是這個(gè)原因，盡管ASML的EUV售價(jià)高達(dá)1.2億美元，三星和臺積電等廠商依然積極采購。臺積電精?密?設(shè)?備?搬?運(yùn)?在日前舉行的法說會(huì)上宣布，2021年主要用于設(shè)備采購的資本支出約為250億至280億美元，較2020年的172億美元增長了45%～62%。臺積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭表示，為應(yīng)對工藝與特殊工藝技術(shù)發(fā)展，并順應(yīng)客戶需求的增長，公司將上調(diào)2021年資本支出，其中80%將用于3nm、5nm及7nm等工藝。