未來(lái)，極紫外光刻技術(shù)將如何發(fā)展？產(chǎn)業(yè)格局如何演變？我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)如何解決光刻技術(shù)的難題？精?密?設(shè)?備?搬?運(yùn)?認(rèn)為在摩爾定律不斷挑戰(zhàn)物理極限的當(dāng)下，半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)形勢(shì)，用“得EUV者得工藝”來(lái)形容并不為過(guò)。臺(tái)積電、三星電子等廠商均加速了導(dǎo)入EUV的進(jìn)程。也是這個(gè)原因，EUV正在成為半導(dǎo)體巨頭在工藝領(lǐng)域爭(zhēng)奪優(yōu)勢(shì)地位的焦點(diǎn)。2020年以來(lái)，三星電子與ASML高層互訪消息頻出。2020年10月，三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕訪問(wèn)ASML，與ASML CEO Peter Wennink、CTO Martin van den Brink進(jìn)行會(huì)談。2020年年底又傳出Peter Wennink回訪三星電子的消息。有精?密?設(shè)?備?搬?運(yùn)?人士指出，

這樣頻繁的互訪，核心當(dāng)然在于EUV設(shè)備。

三星電子希望ASML提供更多的EUV設(shè)備，同時(shí)希望ASML協(xié)助三星電子更加順利地使用已經(jīng)購(gòu)買的EUV。據(jù)了解，ASML 2021年EUV產(chǎn)能約為45～50臺(tái)。而臺(tái)積電就搶下當(dāng)中的30臺(tái)，剩下的才由三星、英特爾及SK海力士等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手瓜分。如此一來(lái)，三星電子勢(shì)必在2021年EUV設(shè)備數(shù)量上輸給臺(tái)積電。三星電子此前提出“半導(dǎo)體愿景2030計(jì)劃”，計(jì)劃于2030年在晶圓代工領(lǐng)域趕超臺(tái)積電。這是三星高層親自出訪ASML的主要原因。事實(shí)上，半導(dǎo)體邏輯制程技術(shù)進(jìn)入到7納米以下后，由于線寬過(guò)細(xì)，需要使用EUV作為曝光媒介。當(dāng)前有能力并且有意愿進(jìn)入7納米世代的晶圓廠僅剩臺(tái)積電、三星和英特爾，加之EUV設(shè)備供給有限，ASML便成為三大半導(dǎo)體巨頭爭(zhēng)相拉攏的重要對(duì)象。