半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運(yùn)-精密儀器設(shè)備裝卸搬運(yùn)I設(shè)備裝卸搬運(yùn)-亞瑟報(bào)道：

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍不僅禁帶寬度較大，還兼具熱導(dǎo)率高、飽和電子漂移速率 高、抗輻射性能強(qiáng)、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性，在高溫、高頻、高功率電力電子器件和射頻器 件中有很好的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大尺寸、低成本 SiC 單晶襯底是實(shí)現(xiàn) SiC 器件大規(guī)模應(yīng)用的前提。受技 術(shù)與工藝水平限制，目前 SiC 單晶襯底供應(yīng)仍面臨缺陷密度高、成品率低和成本高等問(wèn)題。高溫溶液生長(zhǎng) （high temperature solution growth，HTSG）半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍法生長(zhǎng)的 SiC 單晶具有缺陷密度低、易擴(kuò)徑、易實(shí)現(xiàn) p 型摻雜半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍優(yōu)勢(shì)，有望成為大規(guī)模量產(chǎn) SiC 單晶的主要方法之一，目前該方法的主流技術(shù)模式是頂部籽晶溶 液生長(zhǎng)（top seeded solution growth，TSSG）法。本文首先回顧總結(jié)了 TSSG 法生長(zhǎng) SiC 單晶的發(fā)展歷程， 半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍接著介紹和分析了該方法的基本原理和生長(zhǎng)過(guò)程，然后從晶體生長(zhǎng)熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)兩方面總結(jié)了該方法的 研究進(jìn)展，并歸納了該方法的半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍