實驗室搬遷經(jīng)驗,儀器拆卸安裝實施方案的亞瑟報道：半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍存儲器的發(fā)展取決于應用場景的變化，當下智能化時代的迅速發(fā)展對存儲器提出了更高的要求，新型存儲器迅速成長。目前新型存儲器阻變存儲器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐漸受到市場重視。半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍近日，英飛凌官方消息稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。當前，英飛凌基于臺積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶，其基于臺積電28納米RRAM技術(shù)的半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍樣品將于2023年底提供給客戶。英飛凌表示，Autrix TC4x系列微控制器專為ADAS而設計，可提供新的E/E架構(gòu)和經(jīng)濟實惠的AI應用。半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍公開資料顯示，嵌入式閃存微控制器自推出半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍發(fā)動機管理系統(tǒng)以來，就被用作汽車中的ECU，市場上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù)，但該技術(shù)一直在努力遷移到28納米以下，并且業(yè)界認為其效率低于RRAM。英飛凌認為，與臺積電的合作成功奠定了RRAM在汽車領域的基礎，并使其Autrix系列微控制器具有更廣泛的供應基礎。半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍在新型存儲器中，RRAM不僅滿足高讀寫速度和存儲密度的要求，同時延遲可降低1000倍，可滿足未來智能駕駛高實時數(shù)據(jù)吞吐量。安全性方面，RRAM具備可靠性，未來有望出現(xiàn)高性能、高集成度、高穩(wěn)定性和低功耗的車規(guī)RRAM存儲器。半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍英飛凌聲稱，臺積電提供的帶有RRAM的Aurix微控制器將提供更高的抗擾度，半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍并允許按位寫入而無需擦除，從而實現(xiàn)優(yōu)于嵌入式閃存的性能。英飛凌表示，循環(huán)耐力和數(shù)據(jù)保留與閃存相當。臺積電業(yè)務發(fā)展高級副總裁Kevin Zhang表示，臺積電和英飛凌已經(jīng)在一系列不同應用中就RRAM技術(shù)進行了近十年的合作，半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍將TC4x遷移到RRAM將為在微控制器縮小到更小的節(jié)點方面開辟新的機遇。目前，臺積電的非易失性存儲器解決方案包括閃存、自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。該代工廠還在探索相變RAM（PCRAM）和自旋軌道扭矩MRAM（SOT-MRAM）技術(shù)。據(jù)半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍悉，臺積電2018年開始量產(chǎn)汽車用40納米eFlash技術(shù)，但其40納米超低功耗嵌入式RRAM技術(shù)，半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍完全兼容CMOS工藝，已于2017年底進入風險生產(chǎn)。2021年，臺積電代工廠的40納米RRAM技術(shù)成功進入量產(chǎn)，28納米和22納米節(jié)點也可作為物聯(lián)網(wǎng)市場的低成本解決方案。