設(shè)備搬運(yùn)-設(shè)備裝卸移位定位設(shè)備安裝
2022-06-04 來自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):214
設(shè)備搬運(yùn)-設(shè)備裝卸移位定位設(shè)備安裝的亞瑟報道:逆光刻技術(shù) (IInverse lithography technology:ILT) 代表了過去二十年來 EDA 半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)重要的進(jìn)步。” 臺積電的彭丹平(Danping Peng )在半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)近的 SPIE 高級光刻 + 圖案化會議上發(fā)表了這一論斷,他的演講題為《用于 HVM 的 ILT:歷史、現(xiàn)在和未來》。事實(shí)上,ILT 已經(jīng)提高了以更高的保真度打印晶圓級特征的能力。首先,半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)簡要回顧設(shè)計(jì)流片后與掩模制造相關(guān)的步驟:半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)掩模車間將光學(xué)鄰近校正 (OPC) 或 ILT 算法應(yīng)用于掩模數(shù)據(jù)。半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)掩膜數(shù)據(jù)準(zhǔn)備 (Mask data prep:MDP) 將以適合掩碼寫入器的格式組合 OPC/ILT 生成的數(shù)據(jù)。半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)掩模寫入已經(jīng)從(基于光學(xué)的)圖案生成光刻膠涂層掩模坯的曝光發(fā)展到基于電子束的曝光??勺冃螤罟馐?(VSB) 和多光束詢問書寫系統(tǒng)均可用。(稍后會詳細(xì)介紹。)掩膜檢測步驟包括:
• 臨界尺寸 (CD) 計(jì)量 (CD-SEM)
• 使用航空影像測量系統(tǒng)(例如,Zeiss AIMS)進(jìn)行掩模審查
• 掩模缺陷修復(fù)然后掩膜進(jìn)入晶圓廠,晶圓級印刷品將經(jīng)過類似的步驟:CD-SEM 尺寸評估、晶圓檢測和缺陷分析。半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)圖中突出顯示了對掩模校正算法的需求。
隨著晶圓上的打印尺寸隨著連續(xù)的工藝節(jié)點(diǎn)而縮放,圖像的保真度——即目標(biāo)圖像和打印的輪廓之間的差異——變得很差。需要更正版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)生成掩模更新的原始方法被稱為光學(xué)鄰近校正 (OPC)。(直線)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的各個部分以適當(dāng)?shù)拈g隔被一分為二,并且通常使用基于規(guī)則的算法來移動子部分。在形狀角處添加了矩形襯線——在外角處擴(kuò)展段,在內(nèi)角處縮小。(OPC 結(jié)果被賦予了不同的名稱——例如,“hammerheads”、“dogbones”。)
隨后,OPC 算法將亞分辨率輔助功能 (SRAF) 添加到掩膜碼數(shù)據(jù)中。這些是與原始設(shè)計(jì)不同的形狀,其尺寸是有意選擇的,以便不以晶圓光刻膠分辨率打印,但由于設(shè)計(jì)形狀邊緣的光學(xué)衍射提供適當(dāng)?shù)模ńㄔO(shè)性和破壞性)干涉。半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)如上圖和下圖所示,ILT 算法做出了根本不同的假設(shè),利用曲線掩模數(shù)據(jù)進(jìn)行校正和 SRAF。下圖說明了 OPC 的基于邊緣的性質(zhì)與基于像素的 ILT 算法之間的主要區(qū)別。
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