精密儀器設(shè)備裝卸搬運(yùn)-搬家的亞瑟報(bào)道：‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍找到與半導(dǎo)體良好的金屬接觸是一個(gè)與半導(dǎo)體本身一樣古老的問(wèn)題，”斯坦福大學(xué)的研究員 Aravindh Kumar 說(shuō)。“隨著每一種新的半導(dǎo)體被發(fā)現(xiàn)（在我們的案例中，原子級(jí)薄的半導(dǎo)體，如二硫化鉬 (MoS2)，尋找良好接觸的問(wèn)題再次浮出水面。”‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍ 和他的同事研究人員 Katie Neilson 和 Kirstin Schauble 面臨的問(wèn)題是尋找接觸電阻 (RC) 幾乎為零的金屬觸點(diǎn)。當(dāng)這些材料集成到電路、LED 或太陽(yáng)能電池中時(shí)，替代方案將浪費(fèi)金屬-半導(dǎo)體結(jié)處的電壓和功率。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，這些斯坦福大學(xué)的研究人員‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍開(kāi)發(fā)了一種在單層二維半導(dǎo)體上制造合金金屬觸點(diǎn)的新技術(shù)。二維半導(dǎo)體上改進(jìn)的金屬-半導(dǎo)體接觸電阻，結(jié)合過(guò)渡金屬二硫化物‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的光學(xué)特性，可能為下一代邏輯和存儲(chǔ)技術(shù)鋪平道路。據(jù)研究‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍人員稱，二維半導(dǎo)體有望解決大尺寸晶體管中的通道控制問(wèn)題：減小器件尺寸也會(huì)減小通道長(zhǎng)度。界面缺陷（由于晶體管柵極溝道的小尺寸）導(dǎo)致載流子遷移率下降。研究人員表示，MoS2等過(guò)渡金屬二硫化物‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍材料，因?yàn)樗鼈冊(cè)跇O薄的厚度下具有高遷移率。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍小組之前的一項(xiàng)研究表明，鎳 (Ni) 和鈀 (Pd) 等高熔點(diǎn)金屬 在沉積在單層 MoS2上時(shí)會(huì)造成損壞。作為一種‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍三原子厚材料，這會(huì)嚴(yán)重降低其電子性能。因此，我們和其他小組嘗試了低熔點(diǎn)金屬，例如銦（In）和錫（Sn），看看它們是否會(huì)減少對(duì)MoS2的損害。拉曼光譜表明它們實(shí)際上對(duì)單層 MoS2造成的損傷可以忽略不計(jì)。In 和 Sn 非常容易氧化，因此我們用金 (Au) 蓋住這些低熔點(diǎn)金屬觸點(diǎn)，發(fā)現(xiàn)這些觸點(diǎn)的性能非常好。