精密儀器設(shè)備搬運(yùn)搬遷定位移位-電鏡搬運(yùn)的亞瑟報(bào)道：半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)是中國在半導(dǎo)體設(shè)備制造上短板，國內(nèi)晶圓廠所需的光刻機(jī)完全依賴進(jìn)口。不過，近日，國內(nèi)半導(dǎo)體廠導(dǎo)入光刻機(jī)又有了半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍進(jìn)展。英諾賽科（珠海）科技有限公司成功導(dǎo)入ASML光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)氮化鎵量產(chǎn)；晶瑞電材也表示，公司近期已購得KrF光刻機(jī)一臺(tái)，可用于KrF光刻膠的曝光測試。據(jù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍了解，英諾賽科于2021年引入ASML光刻機(jī)，憑借著其TWINSCAN架構(gòu)（雙晶圓工件平臺(tái)），英諾賽科進(jìn)一步提升了硅基氮化鎵功率器件制造的產(chǎn)能及產(chǎn)線良率。此次慶典上，ASML副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理沈波代表ASML被英諾賽科授予“戰(zhàn)略合作伙伴”稱號(hào)。近年來，相較傳統(tǒng)硅材料半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 等第三代半導(dǎo)體，以其更小尺寸、更高轉(zhuǎn)換頻率、更高功率密度等特點(diǎn)，逐漸成為了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新焦點(diǎn)。此新材料可滿足節(jié)能、減排、智能制造等戰(zhàn)略需求。氮化鎵是“第三代半導(dǎo)體”關(guān)鍵材料之一，具有廣闊的市場前景，可滲透到包括消費(fèi)、工業(yè)和汽車類電子應(yīng)用領(lǐng)域。作為半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的8英寸硅基氮化鎵芯片制造商（IDM），英諾賽科一直致力于推動(dòng)第三代半導(dǎo)體制造技術(shù)的創(chuàng)新和革命。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍有力的支持，ASML始終根據(jù)其制造需求不斷升級(jí)光刻設(shè)備ASML光刻機(jī)的順利入駐將持續(xù)助力英諾賽科的大規(guī)模量產(chǎn)，為其長期發(fā)展保駕護(hù)航。ASML 深紫外光刻業(yè)務(wù)副總裁Ron Kool表示：“我們也欣喜地看到ASML TWINSCAN的在8英寸硅基氮化鎵芯片制造領(lǐng)域得到驗(yàn)證。我們完全有信心支持英諾賽科未來的持續(xù)增長。”半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍公開資料顯示，英諾賽科是2015年12月由海歸團(tuán)隊(duì)發(fā)起，并集合了數(shù)十名國內(nèi)外精英聯(lián)合創(chuàng)辦的第三代半導(dǎo)體電力電子器件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。英諾賽科采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于打造一個(gè)集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體的第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)平臺(tái)。