從多個(gè)廠商和研究機(jī)構(gòu)的成來(lái)看專注的（高精密設(shè)備）《上?！钒徇\(yùn)搬遷公司亞瑟分享我們可以看到，接下來(lái)的幾個(gè)高級(jí)過(guò)程節(jié)點(diǎn)的設(shè)備路線圖似乎相對(duì)清晰。FinFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)隨后將被“gate-all-around”器件取代，通常使用多個(gè)堆疊的溝道，然后金屬柵完全被“納米片”圍繞。盡管鰭片由于在鰭片的高度和厚度上的遍歷而表現(xiàn)出改善的柵溝道靜電，但堆疊的納米片半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?卻進(jìn)一步改善了這種靜電控制——優(yōu)化了亞閾值泄漏電流

冷凍電鏡，球差電鏡，半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?掃描電鏡，透射電鏡及掃描電子顯微鏡，半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?聚焦離子束顯微鏡，在X射線，核磁共振屏蔽，XRD防護(hù)室建設(shè)，實(shí)驗(yàn)室設(shè)備搬運(yùn)，安裝，運(yùn)輸，拆裝，組合，移位，調(diào)試裝機(jī)，消音消磁，半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?除震消噪及精密儀器的防（減）震臺(tái)安裝，制作均有一套成熟的方案及作業(yè)團(tuán)隊(duì)。forksheet研發(fā)的目標(biāo)是消除nFET到pFET器件的間距規(guī)則（用于公共柵極輸入連接），用薄氧化物隔離兩組納米片。晶體管密度獲得這種引人注目的增益的代價(jià)是——柵極再次在三個(gè)側(cè)面上包圍了溝道體積–“ FinFET側(cè)面翻轉(zhuǎn)”是forksheet的一個(gè)常見(jiàn)的相似之處。盡管后FinFET節(jié)點(diǎn)的大批量制造半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?（HVM）的日期有些不確定，但是可以預(yù)料，這些不斷發(fā)展的納米片/forksheet拓?fù)鋵⒃?024-25年間出現(xiàn)。