實驗室設(shè)備搬運搬遷安裝移位 半導體起重吊裝快速響應的亞瑟報道：半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍產(chǎn)業(yè)資訊，眾所周知，為增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實設(shè)備制作高亮度紅色Micro-LED芯片一直都充滿了各種困難，現(xiàn)在Kubos半導體提出了一種鮮為人知的材料們，并認為它可以解決這個問題。半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍隨著各大科技巨頭爭相推出各種AR和VR設(shè)備，進而為用戶提供他們期待已久的生動明亮的圖像，他們半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍都遇到了這樣一個共同的瓶頸：紅色Micro-LED芯片的開發(fā)。由于材料固有缺陷在器件尺寸非常小時會帶來嚴重影響，目前所有LED的發(fā)光效率都會隨著器件尺寸的減小而直線下降，這其中，紅色LED尤為明顯。

根據(jù)半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍報道半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍，總部位于英國的初創(chuàng)公司Kubos半導體提出了一種他們認為可以很好解決該問題的方案。“一直以來，紅色Micro-LED芯片的開發(fā)讓人們夜不能寐，因為大家都不能讓用于藍色和綠色LED器件制造的傳統(tǒng)氮化鎵材料在更長的紅色波段下有效工作，”Kubos半導體的首席執(zhí)行官Caroline O'Brien表示：“如果希望尋找到一個突破口，大家就半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍要以一種不同的方式看待這個問題，而這就是我們一直在做的方向。半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍那么，紅色Micro-LED芯片的開發(fā)到底遇到了什么問題？實際問題就是，將典型的藍色LED從目前的常用尺寸縮小到5微米大小，其發(fā)光效率會從90%左右驟降到40%左右。雖然出現(xiàn)了很大的降幅，但從應用角度來看，這已經(jīng)是能夠接受的了。同樣地情況對紅色LED來說，其發(fā)光效率會從60%下驟降到1%左右，如此大的降幅正是目前問題癥結(jié)所在，而造成這種差異的主要原因在于制造這些器件所用的材料不同半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍迄今為止，藍色和綠色LED通常由氮化銦鎵（InGaN）材料制成。不過，當開發(fā)商同樣用InGaN材料制造更長波長的紅色LED器件時，材料成分的細微差別會在器件的發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生強烈的偏振場，正是這種偏振場半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍降低了發(fā)光效率。因此，大多數(shù)器件制造商開始選擇使用磷化銦鎵（InGaP）半導體材料來制造紅色LED器件。在Micro-LED應用及其擴展問題出現(xiàn)之前，這種方法一直很有效。半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍業(yè)內(nèi)一些半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍頭腦的人一直在試圖從現(xiàn)有的Micro-LED材料系統(tǒng)中找到解決方案。藍色激光二極管先驅(qū)、諾貝爾獎獲得者中村修二和加州大學圣巴巴拉分校的同事正在從這個方向出發(fā)，以通半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍度地減少缺陷效應，來提高InGaN和InGaP材料制成的紅色Micro-LED芯片的性能。Zhe Zhuang和沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）的同事們正在使用一種新的化學處理方法，以提高他們基于GaN材料開發(fā)的紅色Micro-LED的發(fā)光效率。