半導體類設備搬運公司 半導體設備搬運方案遷廠搬家的亞瑟報道：11月7日，三星電子宣布已開始量產三星產品中具有半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三級單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有高的存儲密度，可為半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。據半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍介紹，三星第八代V-NAND采用3D縮放（3D scaling）技術，不僅可以減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍通過3D縮放技術，三星可顯著提升每片晶圓的存儲密度?；?span style="font-family: system-ui, -apple-system, BlinkMacSystemFont, ">半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍NAND閃存標準Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍三星表示，第8代V-NAND有望成為存儲配置的基石，幫助擴展下一代企業(yè)服務器的存儲容量，同時其應用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車載市場。據悉，三星此前在2022年科技日半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍推出了512Gb TLC第8代V-NAND，位密度提高了42%，并表示半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍高容量的1Tb TLC V-NAND將于今年年底向客戶提供。作為半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍的NAND Flash廠商，三星預計，到2030年，NAND閃存堆疊層數將超過1000層，以半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍支持未來的數據密集型技術。