HDP-CVD設備搬運移入移出捆包氣墊車運輸?shù)膩喩獔蟮溃?span style="text-align: justify; background-color: rgb(255, 255, 255); color: rgb(84, 78, 78); font-family: system-ui, -apple-system, BlinkMacSystemFont, ">近日‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍報道，三星已經(jīng)取消增加光刻膠供應商的計劃，韓國Dongjin Semichem公司將繼續(xù)成為三星‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍的光刻膠供應商。據(jù)悉，‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍到目前為止，三星電子生產(chǎn)3D NAND芯片的光刻膠仍由Dongjin Semichem‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍供應。三星一直試圖減少對該家光刻膠公司的依賴，報道指出，雖然三星曾與至少四家潛在的日本光刻膠供應商接觸，但這些廠商無法滿足三星厚度的要求。‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍三星的上述經(jīng)歷，反映出當前光刻膠存在較高技術(shù)與市場壁壘。近年，受益于半導體市場快速發(fā)展，半導體上游材料光刻膠愈發(fā)受到關(guān)注。光刻膠為何如此重要？技術(shù)與市場雙重壁壘下，國內(nèi)光刻膠廠商發(fā)展處境如何？‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍光刻膠是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。在半導體制造環(huán)節(jié)，光刻膠是光刻工藝的核心材料，可以與光線發(fā)生反應，讓芯片材料上出現(xiàn)所需的精密電路圖案。根據(jù)‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍顯影效果不同，光刻膠可分為正性和負性兩種，正性光刻膠，暴露在紫外線下的區(qū)域會改變結(jié)構(gòu)，變得更容易溶解從而為刻蝕和沉積做好準備。負性光刻膠則正好相反，受光照射的區(qū)域會聚合，這會使其變得更難溶解。正性光刻膠可以達到更高的分辨率，從而讓它成為光刻階段‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍選擇，因此正性光刻膠是當前半導體制造的主流。根據(jù)曝光波長的不同，光刻膠又可以分為g線、i 線、 KrF、ArF以及EUV光刻膠5大類別，其中g(shù)線、i線一般用于250nm以上工藝，KrF、ArF和EUV光刻膠屬于‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍光刻膠，KrF一般用于250nm-130nm工藝，ArF一般用于130nm-14nm工藝，EUV光刻膠主要用于7nm及以下工藝。從應用產(chǎn)品看，光刻膠‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍大應用領(lǐng)域在邏輯產(chǎn)品上，占比超過50%，其次是存儲器產(chǎn)品，光刻膠是生產(chǎn)3D NAND閃存芯片的關(guān)鍵成分，由于2D NAND存儲容量難以繼續(xù)突破，NAND工藝逐漸轉(zhuǎn)向3D堆疊架構(gòu)，以更多的堆疊層數(shù)來得到更大的存儲容量，光刻次數(shù)隨著層數(shù)增加而增加，KrF光刻膠需求量日益增長，對存儲器影響也日漸重要。半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍光刻膠產(chǎn)業(yè)由國外廠商主導，信越化學、JSR、TOK等大廠聚集效應明顯，且側(cè)重中‌‌半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍光刻膠布局。國內(nèi)光刻膠廠商占據(jù)市場規(guī)模小，但未來替代空間較大。