上海半導(dǎo)體設(shè)備裝卸-精密儀器設(shè)備裝卸報(bào)道：在半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍華為表示，隨著芯片尺寸的不斷微縮，DRAM工藝的微縮變得越來越困難，平面DRAM 的“摩爾定律”' (Moore's Law) 正在逐漸走向極限，當(dāng)今各大廠商都在研究3D DRAM作為解決方案來延續(xù)DRAM的使用。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍按照華為所說，3DDRAM是一種將存儲單元堆疊至邏輯單元上方的新型存儲方式，它可以實(shí)現(xiàn)單位面積上更高的容量。本來編者以為，這是華為對未來技術(shù)的一個(gè)預(yù)測，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍消息卻透露，華為在相關(guān)技術(shù)上原來已經(jīng)有了研究成果。據(jù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍介紹，在 VLSI Symposium 2022 上，將進(jìn)行各種有關(guān)內(nèi)存的演講，其中華為公司名為“采用垂直CAA型IGZO FET的3D-DRAM技術(shù)”的演講將備受關(guān)注。根據(jù)中國科學(xué)院微電子研究所去年發(fā)布的文章，華為研究人員的這篇論文也曾經(jīng)亮相過第67屆電子器件大會（IEDM 2021）。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍報(bào)道指出，DRAM是存儲器領(lǐng)域重要的分支之一?；阢熸変\氧（IGZO）晶體管的2T0C-DRAM有望克服傳統(tǒng)1T1C-DRAM的微縮挑戰(zhàn)。但目前相關(guān)研究都是基于平面結(jié)構(gòu)，形成的2T0C單元（~20F2）比相同特征尺寸下的1T1C單元（6F2）大很多，缺少密度優(yōu)勢。