半導(dǎo)體設(shè)備搬家搬運搬遷-氣墊車運輸?shù)膩喩獔蟮溃?span style="color: rgb(76, 74, 74); font-family: ">近日，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍CEA、Soitec、GlobalFoundries和ST宣布了一項新的合作，他們打算共同定義業(yè)界下一代 FD-SOI 路線圖技術(shù)。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍作為本世紀初被開發(fā)以應(yīng)對22nm以后半導(dǎo)體工藝難題的兩大制程技術(shù)之一，F(xiàn)D-SOI顯然從知名度上遠遠不如FinFET那樣耳熟能詳，應(yīng)用廣度也欠缺了不止一個維度，但這種工藝在某些方面的優(yōu)勢，又是標(biāo)準(zhǔn)的FinFET工藝所不具備的，特別是在如今龐大的物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)中，對芯片差異化的需求有時正需要FD-SOI這種技術(shù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍優(yōu)勢來實現(xiàn)。而另一邊，長期受益于摩爾定律大放異彩的FinFET仿佛也走到了盡頭，如果說三星宣稱將在3nm推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)，F(xiàn)inFET猶可淡定；而到如今，臺積電2nm和英特爾5nm制程也將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA，就已有一個時代翻篇的跡象了。三大代工巨頭紛紛在下一代半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍制程上選擇GAA，成熟制程上FD-SOI又在“窮追不舍”，F(xiàn)inFET迎來“前后夾擊