設(shè)備移位吊裝搬運(yùn)運(yùn)輸|精密儀器設(shè)備移入搬運(yùn)的亞瑟報(bào)道：近些年，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在晶圓代工（Foundry）市場(chǎng)，三星一直沒有放緩追趕行業(yè)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍臺(tái)積電的腳步，然而，在市占率方面，三星仍然沒有縮小與臺(tái)積電的差距，后者依然在小幅、穩(wěn)步提升著，目前，臺(tái)積電約占半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍晶圓代工市場(chǎng)56%的份額，三星則為17%左右，三星已經(jīng)在這一市占率數(shù)字附近徘徊多年，一直難有明顯提升。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在這種情況下，臺(tái)積電在投資規(guī)模、市場(chǎng)影響力性、良率等方面依然沒有放松，仍在全情投入。不過，三星也沒有喪失信心，特別是借近兩年芯片短缺的東風(fēng)，三星又祭出了一系列措施，以求在未來幾年有較大發(fā)展。近期，三星的一個(gè)動(dòng)作就是高層大調(diào)整。這是在三星實(shí)控人李在镕出獄后做出的，目標(biāo)是重振三星集團(tuán)，發(fā)起高層人事部門大換血，破格調(diào)整高管，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍撤換半導(dǎo)體、手機(jī)、消費(fèi)電子三大事業(yè)主管，并將手機(jī)及消費(fèi)電子事業(yè)合并，此舉透露出三星集團(tuán)經(jīng)營(yíng)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍已轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體，讓投資人信心大增。特別值得注意的是，有8名四十多歲的副社長(zhǎng)晉升者，從該公司主力事業(yè)半導(dǎo)體事業(yè)（DS）部來看，存儲(chǔ)事業(yè)部商品企劃組副社長(zhǎng)Young-su Son（47歲）、Foundry事業(yè)部銷售團(tuán)隊(duì)副社長(zhǎng)Seung-cheol Shin（48歲）、美洲總管副社長(zhǎng)Chan-ik Park（49歲）等晉升。半導(dǎo)體是三星的重中之重，其中，存儲(chǔ)是其傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)業(yè)務(wù)板塊，而Foundry是追趕半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍高層年輕化可以提升干勁兒和活力半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在制程工藝方面，已經(jīng)量產(chǎn)的節(jié)點(diǎn)是5nm，這方面，三星明顯落后于臺(tái)積電，特別是在成熟度和良率方面，去年，采用三星5nm制程的高通Snapdragon 888就出現(xiàn)過熱問題，也輸給臺(tái)積電5nm制程的蘋果A14、M1芯片效能表現(xiàn)，今年蘋果A15 芯片效能更遠(yuǎn)勝S888。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在4nm方面，三星宣布4LPP將在2022年滿足該公司客戶的要求。由于4LPP依賴于熟悉的FinFET，三星的客戶使用此節(jié)點(diǎn)將容易得多。此前，三星將其4LPE視為其7LPP工藝的演進(jìn)工藝，也許這是因?yàn)?nm比5nm具有非常明顯的PPAc（功率，性能，面積，成本）優(yōu)勢(shì)，或者因?yàn)榇嬖趯?shí)質(zhì)性的內(nèi)部變化（例如，新材料，極紫外光刻的使用率顯著提高等）。據(jù)悉，三星在2021年同時(shí)提高了其4LPE和5LPP技術(shù)的產(chǎn)量，這使其能夠?yàn)椴煌男酒O(shè)計(jì)提供不同的PPAc優(yōu)勢(shì)。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍3nm方面，三星計(jì)劃在2022上半年推出3nm，雖然相較于臺(tái)積電3nm制程同年下半年才會(huì)推出，但臺(tái)積電7月法說指出，主要是配合客戶時(shí)程。目前，三星晶圓代工主要客戶包括高通、IBM、顯卡大廠NVIDIA，以及自家的處理器芯片。李在镕8月假釋出獄后，立即宣布未來3年投入240兆韓元(約2050億美元) ，鞏固該公司在后疫情時(shí)代科技產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢(shì)地位，稱該公司的3nm制程采用環(huán)繞閘極技術(shù)（Gate-All-AroundGAA）不會(huì)輸給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手、也就是臺(tái)積電。三星3nm制程研發(fā)規(guī)劃分為2個(gè)階段，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的GAA GAE(GAA-Early)與第二代3nm GAP(GAA-Plus)，2019年稱3nmGAE制程2020年底前展開風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2021年開始量產(chǎn)，但目前未見蹤影，外界認(rèn)為將延遲到2023年才會(huì)量產(chǎn)。三星就算宣稱3nm正式流片，預(yù)計(jì)2022年上半年量產(chǎn)，但跟先前IBM宣稱推出2nm GAA技術(shù)，雖然證實(shí)技術(shù)的可行性，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍仍在于制程的良率問題，能否脫離實(shí)驗(yàn)室大規(guī)模量產(chǎn)。三星也強(qiáng)調(diào)，與5nm制程相比，其首顆3nm制程GAA技術(shù)芯片面積將縮小35%，性能提高 30% 或功耗降低 50%。三星也表示3nm制程良率正在逼近4nm制程，預(yù)計(jì)2022 年推出半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍ 3 nm 3GAE 技術(shù)，，2023 年推出新一代3 nm 3GAP技術(shù)。在制程工藝方面，三星一直與IBM保持著密切的合作。近期，這兩家公司宣布推出了一種創(chuàng)新技術(shù)，名為VTFET，它的凸出特點(diǎn)是允許晶體管在垂直方向上堆疊。不僅有助于縮Chiplet的尺寸，還能夠使之變得更加強(qiáng)大此前的2D半導(dǎo)體芯片，都是水平放置在硅表面上的，而電流則沿著水平方向去流動(dòng)。得益于3D垂直設(shè)計(jì)，新技術(shù)將有助于突破摩爾定律的性能限制，以達(dá)成更高的能源效率。與當(dāng)前的FinFET相比，VTFET 有望帶來翻倍的性能、以及高達(dá) 85% 的效率提升。此外，由于降低了靜電和寄生損耗（SS=69/68 mV/dec 且 DIBL= <30mV），VTFET有望提供出色的工作電壓和驅(qū)動(dòng)電流。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍研究人員使用VTFET制作了功能性環(huán)形振蕩器（測(cè)試電路）。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，與橫向參考設(shè)計(jì)相比，新技術(shù)可減少 50% 的電容。