高精密設備裝卸搬運移位半導體設備裝卸的亞瑟報道：‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍隨著EUV光刻技術變得越來越重要，ASML的優(yōu)勢也越發(fā)明顯。不過，光刻機供貨商除ASML之外，還有日本廠商尼康（Nikon）和佳能（Canon），這兩家在深紫外線（DUV，光源波長比EUV長）的光刻技術上能與ASML競爭，但ASML作為企業(yè)龍頭，在DUV光刻領域，也擁有62％的市場份額。目前，雖然只有ASML‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍一家能生產EUV光刻機，但由于其技術過于復雜，也需要與業(yè)內的半導體設備廠商和科研機構合作，才能生產出未來需要的更EUV設備。‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍與傳統(tǒng)的 EUV 光刻相比，高 NA EUV 光刻有望提供更圖案縮放解決方案。被引入聯(lián)合高 NA 實驗室的涂布機/顯影劑將具有功能，不僅與廣泛使用的化學放大抗蝕劑和底層兼容，而且還與旋涂含金屬抗蝕劑兼容。旋涂含金屬抗蝕劑已表現(xiàn)出高分辨率和高抗蝕刻性，有望實現(xiàn)更精細的圖案化。然而，含金屬的抗蝕劑還需要精密的圖案尺寸控制以及芯片背面和斜面的金屬污染控制。為了應對這些挑戰(zhàn)，安裝在聯(lián)合高 NA 實驗室的涂布機/顯影劑配備了能夠處理含金屬抗蝕劑的前沿工藝模塊。結合新的工藝模塊，TEL Coater/Developer 的單個單元可以在線處理多種材料，包括化學放大抗蝕劑、含金屬抗蝕劑和底層。這將實現(xiàn)靈活的晶圓廠運營。今年下半年，ASML推出了‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍0.33數(shù)值孔徑EUV光刻機NXE：3600D，每小時曝光產量（throughput）預估可提升至160片，2023年再推出NXE：3800E可將每小時曝光產量提升到195～220片。至于0.55高數(shù)值孔徑的下一代EUV技術預計2025年后進入量產，支援1.5nm及1nm邏輯制程，以及‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍的DRAM制程。‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍在今年第二季度的電話會議上，ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 表示，該公司計劃今年生產約40臺EUV光刻機，并將在2022 年擴大到55臺，2023 年將產量增加到60臺。‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍要生產EUV設備，ASML需要從德國蔡司公司采購系統(tǒng)所需的鏡頭，然而，它每年可以采購的鏡頭數(shù)量有限，這導致系統(tǒng)的交貨時間很長。對此，Peter Wennink表示，該公司的EUV設備交付周期也將從之前的18至24個月縮短至12至 18個月‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍ 表示，其三大 DRAM 客戶都計劃使用 EUV 進行量產。到 2021 年，這些公司預計將總共花費 12 億歐元來購買 EUV 系統(tǒng)。他補充說，未來向這些公司的 EUV 出貨量將增加。ASML已經開始生產其NXE 3600D新型EUV設備，與之前的3400C相比，該系統(tǒng)的生產率提高了15%到20%，覆蓋率提高了30%。今年第二季度，ASML的銷售額為40億歐元，凈利潤為10億歐元，比2020年第二季度分別增長20%和38%。該公司的訂單與上一季度相比增長了 75%，達到 83 億歐元，其中 49 億歐元用于EUV設備。韓國占ASML銷售額的39%，其次是中國臺灣的35%‌‍精‌密‍設‌備‍搬‌運‍公司預計2021年的銷售額將比 2020年增長35%。