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2021-12-21  來自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):228

設(shè)備搬運(yùn)哪家好-設(shè)備搬運(yùn)哪家靠譜找亞瑟的亞瑟精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍報(bào)道:近日,據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰半導(dǎo)體的SiC MOSFET拿下了新能源汽車精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的數(shù)千萬訂單。這可以說是在國產(chǎn)SiC MOSFET中取得的一份很不錯(cuò)的成績,目前在SiC二極管領(lǐng)域國產(chǎn)化的程度已經(jīng)很高,但SiC MOSFET卻還相對薄弱,具備研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)更是鳳毛麟角,這其中的原因是什么?派恩杰作為一家初創(chuàng)企業(yè)又憑什么能脫穎而出?精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍SiC這個(gè)行業(yè)是相對較新且較細(xì)分的領(lǐng)域,很多仿真軟件不會專門為SiC投入太多資源,所以精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍SiC材料本身的模型數(shù)據(jù)的缺失導(dǎo)致商用軟件在仿真SiC的時(shí)候,給設(shè)計(jì)者帶來了很大困難。譬如在仿真里設(shè)計(jì)的很好的器件,等到流片出來后卻發(fā)現(xiàn),跟設(shè)計(jì)的完全不一樣,”派恩杰半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼總裁黃興博士坦言道,“這就需要設(shè)計(jì)者從層物理上的模型,比如SiC自身的電子遷移率、雪崩擊穿的模型、熱學(xué)仿真模型、工藝柵氧生長等方面對SiC材料進(jìn)行校準(zhǔn),不斷的去實(shí)驗(yàn)迭代和完善。”精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍而黃興博士從2009年北卡州立大學(xué)就進(jìn)行這些方面的研究,他師從“IGBT之父”Jayant Baliga和ETO晶閘管發(fā)明人Alex Q. Huang,2014-2017年在美期間發(fā)布20余款SiC/GaN量產(chǎn)產(chǎn)品,發(fā)布精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍6英寸SiC3300V MOSFET器件,發(fā)明精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍可雙向耐壓SiC結(jié)終端結(jié)構(gòu)。黃興博士在SiC行業(yè)有著十余年的經(jīng)驗(yàn),包括與很多業(yè)內(nèi)科學(xué)家合作,不斷的提取出一個(gè)合適的模型,這個(gè)模型能相對準(zhǔn)確的讓SiC仿真結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的匹配度精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的縮短了SiC設(shè)計(jì)開發(fā)的時(shí)間。正是這個(gè)原因使得派恩杰能在SiC MOSFET領(lǐng)域突破。一張普通的MOSFET硅晶圓的成本大概在500元人民幣左右,而SiC晶圓一張大約是在3萬元人民幣左右,一個(gè)PN (part number)需要200片晶圓,就至少需要600萬人民幣,如果開發(fā)幾十款料號,成本將巨額上升。這給SiC企業(yè)帶來了很大的資金壓力。SiC的加工難度很大,很多代工廠并不具備這樣的加工條件,就限制了研發(fā)迭代的速度,這也是目前很多SiC公司很難推出成熟產(chǎn)品一個(gè)重要原因。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在這方面,派恩杰依靠的是有30年經(jīng)驗(yàn)的車規(guī)代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”),它也是首家提供150mm SiC工藝的代工廠。在已經(jīng)合作近三年時(shí)間后,今年9月份,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓又建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系。據(jù)了解,過去三年派恩杰累計(jì)出貨1千萬,未來三年預(yù)計(jì)將超過8千萬。在模型上的多年積累以及X-FAB快速的迭代周期的支持,使得派恩杰這幾年發(fā)展飛速。早在2018年派恩杰就緊鑼密鼓布局車規(guī)級半導(dǎo)體芯片,2019年3月,派恩杰成立僅6個(gè)月即發(fā)布了可兼容驅(qū)動(dòng)650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS,填補(bǔ)了國內(nèi)空白。2020年先后發(fā)布用于5G數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器與工業(yè)輔助電源的650V、1700V工業(yè)級MOS以及用于車載充電機(jī)的650V車規(guī)級MOS。2021年2月發(fā)布1200V大電流車規(guī)級MOS,應(yīng)用于電動(dòng)汽車電驅(qū)單管及模塊。


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