電鏡搬運移入電鏡安裝的亞瑟報道：精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍2006年左右，邏輯器件半導(dǎo)體的微縮正在從65nm向45nm發(fā)展。但是，當(dāng)時的曝光設(shè)備ArF（現(xiàn)在稱為ArF干法）已經(jīng)達到了分辨率極限，而作為下一代曝光設(shè)備的候補的EUV（極端紫外線）問題堆積如山，甚至連R&D設(shè)備都不存在。因此，“半導(dǎo)體的微縮不是已經(jīng)結(jié)束了嗎？”這樣的氣氛在半導(dǎo)體業(yè)界飄浮著。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍當(dāng)時還是同志社大學(xué)經(jīng)營學(xué)老師的筆者說：“半導(dǎo)體的微縮什么時候停止？”受此委托研究的影響，2007年7～9月（整整2個月）環(huán)游世界，訪問了半導(dǎo)體制造商、制造設(shè)備和材料制造商、美國的財團SEMATECH和歐洲imec，對與微縮相關(guān)的關(guān)鍵人物進行了調(diào)查。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍當(dāng)時詢問的時候，我們把邏輯器件和內(nèi)存分開來看。問題包括例如你覺得半間距（hp）以幾nm的界限會是什么”?；仡櫘?dāng)時，細微的金屬布線（M1）的間距與技術(shù)節(jié)點大致成比例關(guān)系，所以上述問題是“M1的hp界限是多少nm？”（圖2）。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍另外，關(guān)于存儲器，NAND型閃存持續(xù)進行二維微縮，其水平比DRAM所以詢問的是“您認為NAND閃存的微配線M1（或柵極長度）的hp是幾nm？”這樣的問題。圖3展示出了這樣進行的調(diào)查結(jié)果。A、B…、Z表示了回答筆者提問的技術(shù)人員的序列號（時間上按A→B→…、Z的順序進行了調(diào)查）。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍從結(jié)果來看，當(dāng)時有不少技術(shù)人員認為邏輯器件上hp為45nm的時候是極限，而內(nèi)存則在hp為32nm的時候是極限。這種微縮的界限是通過延長ArF干法的ArF浸液和SADP（Self-Arigined Double Patterning、）等技術(shù)簡單地被打破的。即使當(dāng)時有相當(dāng)多的技術(shù)人員認為“像浸液一樣復(fù)雜的曝光設(shè)備無法啟動”、“即使SADP微縮了也不會提高成品率”。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍值得一提的是，在訪問TSMC以調(diào)查的時候，筆者聯(lián)系了TSMC的朋友，讓他們聚集了5~6個主管級別的人。筆者在臺灣新竹的TSMC會議室，將之前的聽取調(diào)查結(jié)果（A至X）投射到幻燈片上。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍當(dāng)時聚集在一起的TSMC相關(guān)人員全體大笑起來。而且，“你在說什么呢，hp45nm和hp32nm是極限之類的蠢話？我們已經(jīng)開發(fā)了22nm了？”。其中的2人也回答了我提的問題，他們給出的答案分別是hp16nm和hp10nm。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍認為TSMC從2018年開始量產(chǎn)的7nm的M1在hp18nm左右，2020年量產(chǎn)的5nm的M1在hp16nm附近。因此，臺積電當(dāng)時的極限說法在2020年被打破。至于剩下的hp10nm，我認為在TSMC的3nm，未來的2nm上接近其界限，如果再實現(xiàn)下一個1.5nm～1nm的話，這個極限就會被打破。