半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運-移位

2021-08-19 　來自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝（上海）有限公司瀏覽次數(shù):238

半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運-移位的亞瑟報道：本周，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍臺積電 (TSMC) 市值再次超過騰訊，成為亞洲市值公司。根據(jù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍ 截至8月18日上午的數(shù)據(jù)，臺積電在亞洲公司中以超過 5380 億美元的市值位居榜首。騰訊以超過 5360 億美元的市值位居第二。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍就在本月初的8月3日，臺積電市值達到5520億美元，歷史性地超過了騰訊，成為亞洲市值高的公司。不過，在那之后，騰訊的市值然后又回落，直到本周，臺積電再一次超越了騰訊。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍能夠取得如此亮眼的成績，首要原因當(dāng)然是臺積電超強的晶圓代工技術(shù)實力及其市場占有率。此外，中國政府一系列反壟斷措施，對中國大陸的騰訊等互聯(lián)網(wǎng)頭部企業(yè)影響較大，客觀上幫助了臺積電。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍另外，由于疫情導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷以及汽車和數(shù)據(jù)中心等行業(yè)的需求激增，半導(dǎo)體短缺，作為晶圓半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍臺積電受益于此。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍以上體現(xiàn)的是臺積電在亞洲市場的地位，而對于這家備受關(guān)注的半導(dǎo)體企業(yè)來講，在過去一年多的時間內(nèi)，其在半導(dǎo)體業(yè)地位的確立，還有兩個重要的時間點。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍出現(xiàn)在2020年7月20日，當(dāng)時，該公司市值達到3130億美元，超過了三星的2610 億美元和英偉達的2570億美元，成為半導(dǎo)體公司。第二個時間點出現(xiàn)在今年4月27日，臺積電的市值達到5580億美元，是英特爾的（2390億美元）兩倍多。在過去的20年里，臺積電深耕技術(shù)，穩(wěn)扎穩(wěn)打，在不斷贏得客戶的情況下，市值一直穩(wěn)步提升。經(jīng)過多年的積累，5年結(jié)出了豐碩的果實，不但工藝技術(shù)和市占率領(lǐng)袖群倫，其市值更是在近兩年內(nèi)如火箭般竄升。臺積電的名片，特別是7nm、5nm、3nm和2nm。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍7nm方面，臺積電已經(jīng)在這個節(jié)點上獲得了超過200個NTO，且大多投入量產(chǎn)。該公司已經(jīng)生產(chǎn)了超過10億顆7nm芯片。在7nm時代，臺積電還推出了使用EUV技術(shù)的7nm+工藝。在7nm基礎(chǔ)上，該公司推出了6nm工藝，這個平臺的一個主要特點是與7nm工藝平臺兼容，這樣，客戶很容易把7nm的設(shè)計移植到6nm。2020年，臺積電實現(xiàn)了5nm的量產(chǎn)，與7nm相比，新工藝的速度提升了15%，功耗降低了30%，而邏輯密度則是前者的1.8倍。在良率方面，新工藝的進展也非常順利。與此同時，該公司還推出了增強版的N5P工藝制程，晶體管的速度提升了5%，功耗降低了10%，這將給HPC帶來新的機會。此外，臺積電還基于N5平臺推出了N4工藝，其速度、功耗和密度都有了改善。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍優(yōu)勢同樣是在于其與N5的兼容，使用5nm工藝設(shè)計的產(chǎn)品能夠輕易地轉(zhuǎn)移到4nm的平臺上。這也能保證臺積電客戶在每一代的投資，都能獲得效益。N4試產(chǎn)將在2021年第四季度，而量產(chǎn)將會在2022年實現(xiàn)。目前，臺積電正在為3nm制程工藝量產(chǎn)做著準(zhǔn)備，在這代工藝上，臺積電會繼續(xù)采用FinFET。與5nm相比，臺積電3nm的速度將提升10%到15%，功耗將提升25%到30%，邏輯密度將是前者的1.7倍，SRAM密度也將能提升20%，就連模擬密度也提升了10%。根據(jù)臺積電規(guī)劃，3nm工藝將在2022年下半年進行量產(chǎn)。2019年，臺積電開始了2nm制程技術(shù)的研發(fā)工作。相應(yīng)的技術(shù)開發(fā)的中心和芯片生產(chǎn)工廠主要設(shè)在臺灣地區(qū)的新竹，同時還規(guī)劃了4個超大型晶圓廠，主要用于2nm及更制程的研發(fā)和生產(chǎn)。臺積電2019年成立了2nm專案研發(fā)團隊，尋找可行路徑進行開發(fā)。在考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件之后，決定采用以環(huán)繞閘極（Gate-all-around，GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。MBCFET和FinFET有相同的理念，不同之處在于GAA的柵極對溝道的四面包裹，源極和漏極不再和基底接觸。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍按照臺積電給出的2nm工藝指標(biāo)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23%。按照規(guī)劃，臺積電有望在 2023 年中期進入 2nm 工藝試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn)。2020年9月，據(jù)臺灣地區(qū)媒體報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達到90%。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍目前，除了晶圓廠建設(shè)、臺積電2nm人才安排和培育方面的工作也正在有條不紊地進行著，據(jù)報道，該公司在過去幾個月提拔了4名員工。這些舉措是為了讓這些員工有更多的精力投入到2nm制造工藝的研究和開發(fā)當(dāng)中。據(jù)悉，Geoffrey Yeap現(xiàn)在是2nm制程平臺研發(fā)部的高級總監(jiān)。這個位置在此之前是不存在的。當(dāng)該公司開始專注于2nm制程時，創(chuàng)造這個位置是很重要的。臺積電對管理人員的學(xué)術(shù)要求很高。兩位新提拔的副總經(jīng)理都有博士學(xué)位。臺積電不僅在制程方面處于霸主地位，在成熟和特殊制程領(lǐng)域同樣半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍可以提供MEMS、圖像傳感器、嵌入式NVM，RF、模擬、高電壓和BCD功率IC等制程工藝。臺積電在基本的邏輯技術(shù)基礎(chǔ)上，會加上的ULL&SRAM、RF&Analog及eNVM技術(shù)，實現(xiàn)低功耗以及模擬技術(shù)的提升。為了實現(xiàn)低功耗，臺積電可提供0.18um eLL、90nm ULP、55ULP等制程，同時，該公司還推出了FinFET技術(shù)-N12e，可以打造高能的產(chǎn)品。臺積電在Sensor，Stacking和ASIC（ISP）方面都在延續(xù)自己的技術(shù)。Sensor方面從N65BSI 一直到N65BSI，Stacking方面，則是從BSI到Advanced Pixel Level Stack，ASIC（ISP）則是從N90LP到N65LP。

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