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上海半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運

2021-07-08  來自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):245

上海半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運的亞瑟報道:過往,邏輯廠商在工藝上一直處于 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍地位,也是使用EUV光刻機(jī)的大戶。但是現(xiàn)在存儲廠商的發(fā)展也來到了使用EUV光刻機(jī)階段。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍此前一直表示不會采用EUV光刻的美光,也扛不住來到了EUV光刻時代,近日據(jù)韓媒報道,美光計劃到 2024 在其制造工廠中實施極紫外 (EUV) 光刻,在1γ(Gamma)節(jié)點的有限的層數(shù)中部署 EUV,然后會將其擴(kuò)展到具有更大層采用率的1δ(Delta)節(jié)點。旨在通過允許制造更小的芯片特征來保持摩爾定律的存在。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在公司21財年第三季度財報電話會議上表示:“我們一直說我們會監(jiān)控 EUV 的進(jìn)展。我們實際上參與了 EUV 評估。我們過去使用過 EUV 工具。所以我們一直說,當(dāng)我們看到 EUV 平臺以及生態(tài)系統(tǒng)變得更加成熟時,我們將在我們的路線圖中攔截 EUV。美光已從 ASML 訂購了多種 EUV 工具,”Mehrotra 證實。美光已將21財年的資本支出增加到略高于 95 億美元,其中就包含這些EUV的預(yù)付款。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍2021年2月1日,SK海力士完成用于DRAM的EUV晶圓廠,它于2年前開始建造,位于京畿道利川園區(qū)的晶圓廠名為 M16,是該公司 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍晶圓廠。SK海力士 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍為M16引進(jìn)了EUV光刻設(shè)備。SK海力士計劃使用 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍設(shè)備從今年下半年開始生產(chǎn)第四代10納米DRAM產(chǎn)品,即1a-nm DRAM。

除此之外,SK海力士已與 ASML簽署了一份價值 4.75 萬億韓元(43 億美元)的 5年合同,以采購極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng),按照 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍EUV曝光設(shè)備預(yù)計每臺約200億日元,本次合同金額為采購20臺以上的規(guī)模(支付金額包括安裝費用等)。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍去年年初,三星電子宣布 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍開發(fā)基于 ArF-i 的 D1z DRAM 和分別應(yīng)用其 EUVL 光刻 (EUVL) 的 D1z DRAM。今年2月份,三星電子基于極紫外(EUV)光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已經(jīng)完成了量產(chǎn)。半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)TechInsights拆解了采用EUV光刻技術(shù)和ArF-i光刻技術(shù)的三星1z-nm工藝DRAM,它認(rèn)為該技術(shù)提升了三星的生產(chǎn)效率,并減小了DRAM的核心尺寸。DRAM 單元尺寸和 D/R 縮放越來越難,但三星將 D1z 的 D/R 降低到 15.7 nm,比 D1y 縮小了 8.2%。據(jù)了解,三星還將繼續(xù)為下一代DRAM增加EUV步驟。至此,存儲三巨頭三星、SK海力士、美光都已加碼投資EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)需求不斷增加,而ASML的產(chǎn)能有限,預(yù)計各家公司將競相采購設(shè)備。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍多年來,芯片制造商使用基于光學(xué)的 193nm 波長光刻掃描儀來對芯片中 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍功能進(jìn)行圖案化。通過多重圖案化,芯片制造商已將 193 納米光刻技術(shù)擴(kuò)展到 10/7 納米。但是在 5nm 處,當(dāng)前的光刻技術(shù)已經(jīng)失去動力。所以EUV光刻機(jī)就被推上歷史舞臺,這將NA(breaking index)從大約 1.0 提高到大約1.35納米。ASML的EUV光刻機(jī)目前使用EUV光源波長在13.5nm左右,物鏡的NA數(shù)值孔徑是0.33,發(fā)展了一系列型號。但是,現(xiàn)在 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍EUV光刻機(jī)的NA指標(biāo)太低,解析度不夠。所以在代EUV光刻機(jī)你爭我搶的局面下,下一代光刻機(jī)也在被呼喚。在ASML的規(guī)劃中,第二代EUV光刻機(jī)的型號將是NXE:5000系列,其物鏡的NA將提升到0.55,進(jìn)一步提高光刻精度,半導(dǎo)體工藝想要突破1nm制程,就 半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍靠下一代光刻機(jī)。不過這也將更加昂貴,其成本超過一架飛機(jī),預(yù)計成本超過 3 億美元。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍但下一代high-NA EUV 的演進(jìn)卻不是那么容易,未來工藝節(jié)點向高數(shù)值孔徑(“high NA”)光刻的過渡不僅需要來自系統(tǒng)供應(yīng)商(例如 ASML)的巨大工程創(chuàng)新,還需要對合適的光刻膠材料進(jìn)行高級開發(fā)。EUV 光刻演化的一個經(jīng)常被低估的方面是相應(yīng)光刻膠材料的相應(yīng)開發(fā)工作,尋找合適的光刻膠系統(tǒng)開發(fā)同時進(jìn)行High-NA EUV光刻系統(tǒng)將始于N2、N2+技術(shù)節(jié)點,ASML預(yù)計將在2022年完成High-NA EUV光刻機(jī)系統(tǒng)的驗證,并計劃在2023年交付給客戶。ASML宣布,它現(xiàn)在預(yù)計High-NA 設(shè)備將在 2025 年或 2026 年(由其客戶)進(jìn)入商業(yè)量產(chǎn)。如三星、臺積電和英特爾等的客戶們也一直呼吁開發(fā)High-NA 生態(tài)系統(tǒng)以避免延誤。


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