實(shí)驗(yàn)室搬遷就找上海亞瑟《Arthur》電力電子器件（PowerElectronicDevice），又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件?？梢苑譃榘肟匦推骷?、全控型器件和不可控型器件，其中晶閘管為半控型器件，承受電壓和電流容量在所有器件中電力二極管為不可控器件，結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠；還可以分為電壓驅(qū)動(dòng)型器件和電流驅(qū)動(dòng)型器件，其中GTO、GTR為電流驅(qū)動(dòng)型器件，IGBT、電力MOSFET為電壓驅(qū)動(dòng)型器件MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖MCT的功率、快開(kāi)關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器件。實(shí)質(zhì)上MCT是一個(gè)MOS門(mén)控制的晶閘管。它可在門(mén)極上加一窄脈沖使其導(dǎo)通或關(guān)斷，它由無(wú)數(shù)單胞并聯(lián)而成。它與GTR，MOSFET，IGBT，GTO等器件相比，有如下優(yōu)點(diǎn)：（1）電壓高、電流容量大，阻斷電壓已達(dá)3000V，峰值電流達(dá)***0A，可關(guān)斷電流密度為6000kA/m2；（2）通態(tài)壓降小、損耗小，通態(tài)壓降約為11V；（3）高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已達(dá)20kV/s，di/dt為2kA/s；（4）開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗小，開(kāi)通時(shí)間約200ns，***0V器件可在2s內(nèi)關(guān)斷；2.IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開(kāi)發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門(mén)驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門(mén)驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)。在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT芯片在不串不并的情況下，二電平逆變器功率0.5~3MW，三電平逆變器1~6MW；若反向二管分離，不與IGCT集成在一起，二電平逆變器功率可擴(kuò)至4/5MW，三電平擴(kuò)至9MW。目前，IGCT已經(jīng)商品化，ABB公司制造的IGCT產(chǎn)品的高性能參數(shù)為4［1］5kV/4kA，高研制水平為6kV/4kA。1998年，日本三菱公司也開(kāi)發(fā)了直徑為88mm的GCT的晶閘管IGCT損耗低、開(kāi)關(guān)快速等優(yōu)點(diǎn)保證了它能可靠、半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?率地用于300kW~10MW變流器，而不需要串聯(lián)和并聯(lián)。3.IEGT（InjectionEnhancedGateTransistor）電子注入增強(qiáng)柵晶體管IEGT是耐壓達(dá)4kV以上的IGBT系列電力電子器件，通過(guò)采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過(guò)模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚望。日本東芝開(kāi)發(fā)的IECT利用了電子注入增強(qiáng)效應(yīng)，使之兼有IGBT和GTO兩者的優(yōu)點(diǎn)：低飽和壓降，安全工作區(qū)（吸收回路容量?jī)H為GTO的十分之一左右），低柵驅(qū)動(dòng)功率（比GTO低兩個(gè)數(shù)量級(jí)）和較高的工作頻率。器件采用平板壓接式電機(jī)引出結(jié)構(gòu)，可靠性高，性能已經(jīng)達(dá)到4.5kV/1500A的水平。4.IPEM（IntergratedPowerElactronicsModules）：集成電力電子模塊IPEM是將電力電子裝置的諸多器件集成在一起的模塊。它首先是將半導(dǎo)體器件MOSFET，IGBT或MCT與二極管的芯片封裝在一起組成一個(gè)積木單元，然后將這些積木單元迭裝到開(kāi)孔的高電導(dǎo)率的絕緣陶瓷襯底上，在它的下面依次是銅基板、氧化鈹瓷片和散熱片。在積木單元的上部，則通過(guò)表面貼裝將控制電路、門(mén)驅(qū)動(dòng)、電流和溫度傳感器以及保護(hù)電路集成在一個(gè)薄絕緣層上。IPEM實(shí)現(xiàn)了電力電子技術(shù)的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統(tǒng)噪聲和寄生振蕩，提高了系統(tǒng)效率及可靠性5.PEBB（PowerElectricBuildingBlock）電力電子積木PEBB（PowerElectricBuildingBlock）是在IPEM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB并不是一種特定的半導(dǎo)體器件，它是依照電路結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的不同器件和技術(shù)的集成。典型的PEBB上圖所示。雖然它看起來(lái)很像功率半導(dǎo)體模塊，但PEBB除了包括功率半導(dǎo)體器件外，還包括門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?、半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?電平轉(zhuǎn)換、半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?傳感器、保護(hù)電路、電源和無(wú)源器件。PEBB有能量接口和通訊接口。通過(guò)這兩種接口，幾個(gè)PEBB可以組成電力電子系統(tǒng)。這些系統(tǒng)可以像小型的DC-DC轉(zhuǎn)換器一樣簡(jiǎn)單，也可以像大型的分布式電力系統(tǒng)那樣復(fù)雜。一個(gè)系統(tǒng)中，PEBB的數(shù)量可以從一個(gè)到任意多個(gè)。多個(gè)PEBB模塊一起工作可以完成電壓轉(zhuǎn)換、能量的儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)換、陰抗匹配等系統(tǒng)級(jí)功能，PEBB重要的特點(diǎn)就是其通用性。6．超大功率晶閘管晶閘管（SCR）自問(wèn)世以來(lái)，其功率容量提高了近3000倍?，F(xiàn)在許多已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV/4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV/4kA和6kV/6kA的光觸發(fā)晶閘管（LTT）。美國(guó)和歐洲主要生產(chǎn)電觸發(fā)晶閘管。近十幾年來(lái)，由于自關(guān)斷器件的飛速發(fā)展，晶閘管的應(yīng)用領(lǐng)域有所縮小，但是，由于它的高電壓、大電流特性，它在HVDC、靜止無(wú)功補(bǔ)償（SVC）、大功率直流電源及超大功率和高壓變頻調(diào)速應(yīng)用方面仍占有十分重要的地位。預(yù)計(jì)在今后若干年內(nèi)，晶閘管仍將在高電壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)合得到繼續(xù)發(fā)展。