聯(lián)華電子為***半導體晶圓專工業(yè)界的***，提供高質量的晶圓制造服務，專注于邏輯及特殊技術，為跨越電子行業(yè)的各項主要應用產品生產芯片。聯(lián)電完整的制程技術及制造解決方案，包括邏輯/射頻、嵌入式高壓解決方案、嵌入式快閃存儲器、RFSOI/BCD，以及所有晶圓廠皆符合汽車業(yè)的 IATF-16949 制造認證。

 聯(lián)電現(xiàn)共有十二座晶圓廠，策略性地遍及亞洲各地，制程技術范圍由 5 微米至 0.11 微米，提供客戶多樣應用的選擇，并可提供客制化制程，以因應快速演進的市場，服務日益增加的半導體芯片需求。精?密?設?備?搬?運?

 聯(lián)電擁有4座營運中的***12英寸晶圓廠。位于臺南的Fab 12A于2002年進入量產，目前已運用***14及28納米制程為生產客戶產品，研發(fā)制造復合廠區(qū)由三個獨立的晶圓廠，P1＆2、P3＆4以及P5＆6廠區(qū)組成，月產能目前超過 87000片；位于新加坡白沙晶圓科技園區(qū)Fab 12i為聯(lián)電特殊技術中心，于12英寸特殊制程的生產制造上，提供客戶多樣化的應用產品所需IC，目前月產能達50000片；位于中國廈門的聯(lián)芯FAB12X，已于2016年第4季度開始量產，其總設計月產能為 50000片，目前月產能接近20000片；位于日本三重縣USJC月產能33000片，提供小至40納米的邏輯和特殊技術。除了12英寸廠外，聯(lián)電還擁有的七座8英寸廠與一座6英寸廠，每月總產能超過750000片約當8英寸晶圓。1980年5月22日，聯(lián)電（聯(lián)華電子；United Micrlectronics Corporation；UMC）從臺灣工研院分拆成立，杜俊元出任***任總經理。作為臺灣首家民營集成電路公司，成立之初的聯(lián)電主要生產電子表、計算器與電視用集成電路（IC）。聯(lián)電也是臺灣***家提供晶圓***工服務的公司。

1982年4月，聯(lián)電建成臺灣首條4英寸晶圓生產線（工廠代號UMC1）。

1982年11月，聯(lián)電達損益平衡，

1982年，聯(lián)電全年實現(xiàn)營收達新臺幣1.9億，員工380人。

1983年6月，聯(lián)電月銷售額首度突破新臺幣1億元。

1983年，聯(lián)電全年實現(xiàn)營收增至11億，員工610人。

1984年，聯(lián)電成立研發(fā)部門，自主進行產品和工藝的研發(fā)，走上良性成長階段。

1985年7月16日，聯(lián)電股票在臺灣證券交易所公開上市，代號：2303。

1989年，聯(lián)電6英寸晶圓生產線投產（工廠代號UMC2，現(xiàn)FAB 6）

1993年6月10日，聯(lián)電分拆知識產權（IP）和NRE部門成立智原科技（Faradry；1999年10月27日上市，代號：3035）。

1994年，聯(lián)電完成0.5微米制程研發(fā)。艱難轉型

1995年7月，聯(lián)電轉型為純晶圓代工（Foundry）公司。

1995年7月，聯(lián)電和Alliance、S3合作成立聯(lián)誠半導體（United Semicondor Corp.，USC），是現(xiàn)在的FAB 8B廠。精?密?設?備?搬?運?

1995年8月，聯(lián)電與Trident、ATi、ISSI等七家公司合作成立聯(lián)瑞科技（United Integrated Circuits Corporation，UICC），是現(xiàn)在的FAB 8D廠。

1995年9月，聯(lián)電和兩家IC設計公司合作成立聯(lián)嘉積體電路（United Silicon Incorporated Corp.，USIC），是現(xiàn)在的FAB 8C廠。精?密?設?備?搬?運?

1995年9月，聯(lián)電8英寸晶圓廠（原UMC3，現(xiàn)在FAB 8A）開始生產。

1996年1月，聯(lián)電0.35微米制程開始生產（聯(lián)嘉二廠）。

1996年5月29日，聯(lián)電將計算機事業(yè)部門分拆成立聯(lián)陽半導體（ITE；2002年10月24日上市，代號：3014）。聯(lián)陽早期專注于臺式電腦（PC）及筆記型電腦（NB）控制芯片的開發(fā)設計，后并購聯(lián)盛半導體、繪展科技、晶瀚科技，使得公司擴充了快閃存儲器控制芯片、數(shù)字電視接收控制芯片、多媒體控制芯片以及模擬芯片等新的產品線。

1996年8月16日，聯(lián)電將通訊事業(yè)部門分拆成立聯(lián)杰***（DAVICOM Semiconduor；2007年8月6日上市，代號：3094）。

 1997年5月28日，聯(lián)電將多媒體事業(yè)部門分拆成立聯(lián)發(fā)科技（MediaTek；2001年7月23日上市，代號：2454），包括蔡明介在內的20多人的初始團隊從CD-ROM芯片開始出發(fā)。

1997年5月28日，聯(lián)電將消費性部門分拆成立聯(lián)詠科技（Novatek；2001年4月24日上市，代號：3034）。精?密?設?備?搬?運?

1997年7月，聯(lián)電將內存事業(yè)部門分拆成立聯(lián)笙電子（AMIC）。

1997年10月，聯(lián)電0.25微米制程開始生產。

1998年4月，聯(lián)電收購合泰半導體（現(xiàn)盛群半導體，Holtek）的8英寸晶圓廠（現(xiàn)FAB 8E）。

1998年5月，聯(lián)電UMC5（現(xiàn)FAB 8F）動工興建。

1998年12月，聯(lián)電收購新日鐵半導體（1999年中文名稱更名為聯(lián)日半導體株式會社，2001英文名稱更名為 UMC Japan），成為日本***少量多樣生產模式的晶圓代工廠。 

1999年1月，聯(lián)電單月營收首度超過新臺幣20億。 

1999年3月，聯(lián)電0.18微米制程開始生產。

1999年11月，聯(lián)電南科12英寸晶圓廠正式建廠。世紀曙光

2000 年1月3日，聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉、合泰等合并成立聯(lián)電集團；張崇德、溫清章就任總經理。2000年1月，聯(lián)電集團單月營收首度超過新臺幣60億。精?密?設?備?搬?運?

2000 年3月27日，聯(lián)電宣布產出業(yè)界首批銅制程芯片，***芯片是賽靈思（Xilinx）的FPGA產品。

2000 年5月12日，聯(lián)電宣布產出***顆 0.13微米制程芯片，產品是2M SRAM。

2000 年9月19日，聯(lián)電在紐約證券交易所發(fā)行9000萬單位存托憑證（代碼：UMC），成為***家在紐交所上市的臺灣半導體公司。共募集13億美元，創(chuàng)下臺灣公司在紐約證券交易所首度上市的交易金額紀錄。

2000年10月27日，聯(lián)電FAB 12A廠舉行上梁典禮，預定2001年Q3投產。

2000年12月1日，聯(lián)電和日立合資的Trecenti的12英寸晶圓廠成功產出*** ***批12英寸代工晶圓。首批產品是0.18微米制程的4M和8M SRAM。精?密?設?備?搬?運?

2000 年12月15日，聯(lián)電宣布投資36億美元和英飛凌于新加坡合資籌建12英寸晶圓制造廠（UMCi）。

2000年，聯(lián)電全年營收首度超過新臺幣1000億。

2001年4月12日，聯(lián)電旗下新加坡12英寸晶圓廠動工 

2002年4月1日，聯(lián)電宣布宣明智接替曹興誠擔任首席執(zhí)行官。 

2002年2月，聯(lián)電退出和日立合資的Trecenti。

2003年1月，聯(lián)電新加坡12英寸晶圓廠進行裝機。 

2003年3月，聯(lián)電產出***顆90納米制程IC。

2003年7月15日，聯(lián)電宣布胡國強博士接替宣明智先生擔任首席執(zhí)行官。

2004年3月，聯(lián)電旗下新加坡12英寸晶圓廠邁入量產階段。

2004年5月，聯(lián)電90納米制程完全通過驗證并邁入量產。

2004年6月，聯(lián)電單月營收首度超過新臺幣100億

2004年7月，聯(lián)電并購硅統(tǒng)半導體的8英寸晶圓制造廠，是現(xiàn)在的FAB 8S廠。

2004年12月，聯(lián)電正式收購旗下子公司UMCi，并改名為 Fab 12i。

2005年6月，聯(lián)電產出業(yè)界***顆 65納米芯片。

2005年8月，聯(lián)電90納米晶圓出貨量逾10萬片。 

2006年6月，聯(lián)電成為******家全公司所有廠區(qū)均完成QC-080000 IECQ HSPM認證之半導體制造商。

2006年11月，聯(lián)電產出***顆45納米制程測試芯片。

2007年1月，聯(lián)電擴大位于臺南科學園區(qū)的生產研發(fā)基地。

2007年5月22日，聯(lián)電位于臺南的新研發(fā)大樓建成

2007年8月17日，聯(lián)電設立首設COO陪伴，由孫世偉副總裁兼任。負責12英寸晶圓廠的營運。 

2008年7月16日，聯(lián)電宣布洪嘉聰為新任董事長，任命孫世偉為執(zhí)行長。

2008年10月，聯(lián)電產出晶圓代工業(yè)界***個28納米制程SRAM芯片。

2009年4月，聯(lián)電產出40納米芯片。

2009年12月，聯(lián)電正式收購日本子公司UMCJ。

2010年12月，聯(lián)電南科12A廠第三期進入量產。

2011年10月，聯(lián)電28納米制程進入試產 

2012年5月24日，聯(lián)電南科12A廠第五第六期廠房動土典禮。

2012年11月，聯(lián)電宣布顏博文接替孫世偉擔任首席執(zhí)行長。 

2013年3月，聯(lián)電完成收購和艦科技，是現(xiàn)在的FAB 8N廠。 

2013年5月，聯(lián)電打造Fab12i廠為特殊技術中心（Specialty Technology Center of Excellence）。 

2014年8月，聯(lián)電入股富士通旗下新晶圓代工子公司三重富士通半導體。 

2014年10月9日，聯(lián)電與廈門市政府及福建省電子信息集團成立合資公司聯(lián)芯集成，運營12英寸晶圓代工業(yè)務，項目總投資預計達62億美元，設計規(guī)劃月產能為12英寸晶圓5萬片。

2015年3月26日，聯(lián)電旗下廈門聯(lián)芯集成12英寸生產廠房動土典禮。 

2016年11月16日，聯(lián)電旗下廈門聯(lián)芯集成FAB 12X廠進入量產。

2017年2月23日，聯(lián)電14納米工藝進入量產。

2017年5月22日，聯(lián)電旗下廈門聯(lián)芯28納米正式量產出貨。

2017年6月14日，顏博文辭任首席執(zhí)行長職位，由王石、簡山杰擔任共同總經理，王石主外掌管市場，簡山杰對內掌控技術、研發(fā)。

2018年6月，聯(lián)電董事會通過購買與富士通合資公司的全部股權。

2018年7月，聯(lián)電單月營收創(chuàng)歷史，營收高達新臺幣143億。

2019年7月21日，聯(lián)電撤銷子公司和艦芯片原訂赴中國大陸科創(chuàng)板上市計劃。

2019年10月，聯(lián)電完成收購富士通旗下三重富士通半導體，成為100 %完全獨資的子公司，更名為United Semicondutor Japan Co., Ltd. (USJC)。

2020年7月，聯(lián)電7月營收再創(chuàng)歷史新高，營收高達新臺幣154.95億元。 

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