實(shí)驗(yàn)室設(shè)備裝卸搬運(yùn)-半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運(yùn)-精密儀器設(shè)備裝卸搬運(yùn)-亞瑟報(bào)道：

近日，設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍鴻利智匯聯(lián)合華南理工大學(xué)和廣州新視界共同研發(fā)，成功推出基于玻璃基（COG技術(shù)）和氧化物TFT驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵技術(shù)的高分辨率P0.4 Micro LED顯示產(chǎn)品。設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍該款采用COG技術(shù)的P0.4 Micro LED直顯屏幕具備優(yōu)異的顯示效果，屏幕墨色一致性高，可達(dá)到更高的對比度和更出色的畫質(zhì)，在低灰階表現(xiàn)尤為出色。產(chǎn)品利用AM+TFT主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)，可實(shí)現(xiàn)高像素密度顯示，畫面過渡均勻，無頻閃。設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍得益于玻璃基板材質(zhì)，其平整性、可拼接性、漲縮性得到顯著優(yōu)化，同時(shí)功耗更低，其壽命、耐熱和耐濕等特性更佳設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍據(jù)華南理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院項(xiàng)目負(fù)責(zé)人指出，目前Micro LED主要采用硅基材料作為驅(qū)動(dòng)背板，成本高、難以實(shí)現(xiàn)大尺寸化，不利于Micro LED的推廣。我們前期立足于氧化物TFT領(lǐng)域的研究基礎(chǔ)，探索適用于Micro LED的氧化物TFT驅(qū)動(dòng)陣列，而COG玻璃基+TFT驅(qū)動(dòng)便是行業(yè)公認(rèn)的一條較優(yōu)的實(shí)現(xiàn)Micro LED顯示的關(guān)鍵技術(shù)路線設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍因?yàn)橄噍^于目前主流的PCB基板，玻璃基板的平整穩(wěn)定、設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍耐高溫的特性較容易實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移。COG（Chip on Glass）是基于玻璃基板的工藝技術(shù)，是未來制作低成本，高像素密度，大尺寸LED顯示屏的設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍工藝。氧化物材料作為TFT的有源層具有遷移率較高，制程溫度低，易于實(shí)現(xiàn)LED顯示屏制作等優(yōu)點(diǎn)。設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍玻璃基+TFT驅(qū)動(dòng)，即采用半導(dǎo)體、光刻和設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍銅工藝，在大面積玻璃基板上實(shí)現(xiàn)超精細(xì)的TFT驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，通過使用COG封裝的行列驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍的減少顯示屏驅(qū)動(dòng)芯片的使用數(shù)量，滿足大尺寸Micro LED顯示屏制作需求設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍Micro LED顯示屏芯片數(shù)量多間距小，其實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的難點(diǎn)有兩個(gè)，其一：能否實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移；其二：驅(qū)動(dòng)方式。此外，玻璃基TFT驅(qū)動(dòng)的Micro LED是許多技術(shù)的融合，如COG技術(shù)、TFT玻璃基板、AM驅(qū)動(dòng)和巨量轉(zhuǎn)移等，對生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)要求高，制程工藝復(fù)雜。所以，設(shè)‍備‌搬‍運(yùn)‍如何攻克關(guān)鍵制程，提高M(jìn)icro LED量產(chǎn)的可能性，成為了行業(yè)亟待解決的難題。