半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運移位-精密儀器設(shè)備裝卸搬運的亞瑟報道：‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍上個月中，SEMICON West 2022于舊金山的 Moscone 中心隆重舉行。展會前，Imec 在Moscone 中心附近的Marriott Marquee 舉辦了一場技術(shù)論壇。近年來，Imec 論壇已經(jīng)從我介紹的工藝技術(shù)轉(zhuǎn)向更多的系統(tǒng)和應(yīng)用論壇，但仍有一些工藝內(nèi)容。在 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍的演講中，他展示了如圖 1 所示的路線圖幻燈片。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍對于某些圈子里關(guān)于摩爾定律死亡的所有討論，Imec 路線圖展示了十多年的持續(xù)邏輯擴展。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍在 N2 節(jié)點上，Imec 展示了向 Gate-All-Around (GAA) 納米片的過渡，三星正在為其 3nm 節(jié)點引入 GAA 納米片，英特爾和臺積電宣布用于 2nm（英特爾 20A）的 GAA 納米片。經(jīng)過兩代納米片后，Imec 過渡到了 Forksheets。這是納米片的一種變體，可降低cell的軌道高度。目前，我不清楚 Imec 的 Forkseheet 提案在設(shè)備制造商中的吸引力有多大，因為我真的沒有看到除Imec 之外的 供應(yīng)商在Forksheets 上做任何的工作。在 Forksheet 的兩代之后，Imec 開始引入 CFET。供應(yīng)商們在 CFET 方面做了大量工作，尤其是英特爾和臺積電。上一代 CFET 引入了原子級薄片。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍在 Geert Van der Plas 的演講中，關(guān)于潛在路線圖的更多細節(jié)被提出。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍從可以看出，盡管密度繼續(xù)增加，但速率下降到每個節(jié)點的 1.2 倍至 1.3 倍。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍顯示了標準單元、背面、生產(chǎn)線后端和 CMOS 2.0 創(chuàng)新的擴展路線圖的一些額外細節(jié)。標準單元微縮越來越受到設(shè)計-技術(shù)-協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) 的推動，例如單擴散中斷（single diffusion break）、有源柵極上的接觸（contact over active gate）、叉板墻（forksheet wall）等。晶圓背面正成為通過背面功率傳輸進行微縮的關(guān)鍵部分。BEOL 將需要新的材料和圖案化技術(shù)來支持更密集的設(shè)備。