上海半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)裝卸哪兒有實(shí)力可靠的精密儀器搬遷搬運(yùn)裝卸公司的亞瑟報(bào)道：‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍于今年4 月舉行的 CICC（定制集成電路會(huì)議）上發(fā)表了一篇關(guān)于設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化的論文，即優(yōu)化 3 納米工藝的 PPA 與 GAA 晶體管應(yīng)用，通過(guò)‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍這篇文章，三星希望能夠幫助大家‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍理解即將量產(chǎn)的 3nm GAA 相關(guān)的技術(shù)。三星表示，半導(dǎo)體芯片是眾多晶體管的集合體。因此，在我們?cè)敿?xì)介紹之前，讓我們先談?wù)勛鳛榘雽?dǎo)體芯片基礎(chǔ)的晶體管。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍晶體管是一個(gè)小開關(guān)。由于開關(guān)操作是指從按下開關(guān)到使用電流打開和關(guān)閉燈的整個(gè)過(guò)程，而不是簡(jiǎn)單地按下開關(guān)，因此晶體管操作是指當(dāng)晶體管達(dá)到電流流動(dòng)階段的過(guò)程導(dǎo)通，當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)電流不流動(dòng)。電壓是開啟晶體管的關(guān)鍵力量。當(dāng)通過(guò)施加電壓打開電流通路時(shí)，電流從電壓高的地方流向電壓低的地方。這類似于當(dāng)用力打開水閘時(shí)，水如何在通道中從壓力高的地方流向壓力低的地方。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍晶體管分為兩種，NMOS和PMOS。晶體管的 Si 場(chǎng)（圖 [1] 中的灰‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍值高的區(qū)域，低值的場(chǎng)稱為源極。參見圖[1]和圖[2]‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍如果是這樣，我們?yōu)槭裁匆丫w管做得更小，把更多的晶體管放在一個(gè)芯片上呢？‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍如前所述，晶體管處于開啟或關(guān)閉狀態(tài)。假設(shè)晶體管開啟狀態(tài)為1，關(guān)閉狀態(tài)為0，則可以通過(guò)晶體管表示由0和1組成的許多二進(jìn)制代碼。此外，可以使用二進(jìn)制代碼運(yùn)行各種計(jì)算。通過(guò)這些計(jì)算，可以實(shí)現(xiàn)各種功能。更小的晶體管使我們能夠?qū)崿F(xiàn)更多樣化的功能或制造具有相同性能水平的更小芯片。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍那么，晶體管只需要很小嗎？讓我們?cè)俅我蚤_關(guān)為例。如果打開和關(guān)閉一個(gè)開關(guān)需要不必要的“大力”，我們不能說(shuō)這個(gè)開關(guān)是一個(gè)好的開關(guān)。同樣，一個(gè)晶體管，如果一個(gè)晶體管需要過(guò)大的電壓來(lái)讓相同的電流流過(guò)，就不能被認(rèn)為是一個(gè)性能良好的晶體管。如果開關(guān)打開時(shí)燈亮得晚，或者開關(guān)關(guān)閉時(shí)燈繼續(xù)亮，則該開關(guān)也不是一個(gè)好的開關(guān)。在晶體管的情況下，我們說(shuō)速或讓漏電流流動(dòng)的晶體管是性能低的晶體管。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍如果是這樣，那么好的晶體管就是體積小、功耗低、性能高的晶體管。三個(gè)條件稱為 PPA（性能、功率和面積）。高性能、低功耗、小面積晶體管的技術(shù)不斷發(fā)展。為了獲‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的 PPA，我們不僅使晶體管更小，而且還改變了結(jié)構(gòu)。在晶體管中，電流流過(guò)圖 [1] 中柵極和 Si之間的接合面。我們稱這段通道為溝道。我們改變了結(jié)構(gòu)，使通道形狀更有效。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍我們‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍三種類型的結(jié)構(gòu)變化。隨著溝道寬度和邊數(shù)的增加，柵極控制溝道的能力也提高了。特別是對(duì)于平面型FET，隨著尺寸變小，漏極和源極之間的距離，即溝道長(zhǎng)度會(huì)減小，從而導(dǎo)致不需要的效應(yīng)（短溝道效應(yīng)）。我們通過(guò)開發(fā) FinFET 結(jié)構(gòu)來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題，以允許柵極包裹溝道，這可以改善其控制。此外，我們通過(guò)增加允許更多電流流動(dòng)的溝道寬度來(lái)擴(kuò)展電流流動(dòng)溝道。此外，‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍GAA 是在側(cè)面鋪設(shè) FinFET 的鰭片（Si 場(chǎng)像魚鰭一樣隆起的區(qū)域）的片狀結(jié)構(gòu)。將這些薄片垂直堆積起來(lái)，我們可以使更大的電流在具有相同水平面積的晶體管中流動(dòng)。