半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)搬遷捆包運(yùn)輸?shù)膩喩獔?bào)道：幾十年來，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍NAND-Flash 一直是低成本和大密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用的主要技術(shù)。這種非易失性存儲(chǔ)器存在于所有主要的電子終端市場(chǎng)，例如智能手機(jī)、服務(wù)器、PC、平板電腦和 USB 驅(qū)動(dòng)器。在傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)中，NAND-Flash 位于離處理器 (CPU) 遠(yuǎn)的位置，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和動(dòng)態(tài) RAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）相比，它相對(duì)便宜、速度慢且密集。閃存領(lǐng)域的重要性體現(xiàn)在其在半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍半導(dǎo)體資本支出(capex) 中的可觀份額，數(shù)據(jù)顯示，其約占了整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)支出的三分之一。它的成功與其不斷擴(kuò)展存儲(chǔ)密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)赡辏琋AND-Flash 行業(yè)就能夠大幅提高位存儲(chǔ)密度，以增加 Gbit/mm 2表示。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在此過程中，行業(yè)也已經(jīng)引入了多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新來保持這一趨勢(shì)線。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍NAND 閃存單元都以平面配置排列，使用浮柵晶體管為他們的記憶操作。浮柵晶體管由兩個(gè)柵極組成：浮柵和控制柵。浮柵與晶體管結(jié)構(gòu)的其余部分隔離，通常由多晶硅制成?？刂崎T是“普通”晶體管門。存儲(chǔ)單元的寫入是通過向控制柵極施加脈沖來完成的，該脈沖基于隧道機(jī)制迫使電子進(jìn)入（或離開）浮柵。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍電荷的存在（或不存在）會(huì)改變晶體管的閾值電壓，這種變化稱為內(nèi)存窗口（memory window）。因此，信息被編碼在浮柵晶體管的閾值電壓中，并通過測(cè)量漏極電流來完成讀取。存儲(chǔ)在隔離柵極中的電荷長(zhǎng)時(shí)間保持不變，使存儲(chǔ)器具有非易失性特性。20 多年來，浮柵一直是 2D-NAND 的常用方法，盡管其結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜，但仍可提供可靠的操作。通過減小浮柵單元的尺寸，可以提高位存儲(chǔ)密度。然而，2D-NAND 縮放在大約 15nm 半間距處（half pitch）飽和，主要是因?yàn)殛嚵锌煽啃院挽o電干擾問題 。