進(jìn)口設(shè)備搬運(yùn)裝卸的亞瑟報(bào)道：2022年1月27日，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍富士電機(jī)表示，將增產(chǎn)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地富士電機(jī)津輕半導(dǎo)體（青森縣五所川原市/以下簡(jiǎn)稱津輕工廠）的SiC（碳化硅）產(chǎn)能。量產(chǎn)計(jì)劃在截至 2025 年 3 月的財(cái)政年度開始。未來(lái)五年，富士電機(jī)將擴(kuò)大 8 英寸硅片前端生產(chǎn)線為中心，進(jìn)行與功率半導(dǎo)體相關(guān)的資本投資，總額 將高達(dá)1200 億日元。但是，為了應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車和可再生能源對(duì)功率半導(dǎo)體的需求增加，富士電機(jī)決定追加投資，包括在津輕工廠建設(shè) SiC 功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍功率半導(dǎo)體的資本投資預(yù)計(jì)將增加到1900億日元，”該公司表示。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍搶攻電動(dòng)車(EV)商機(jī)、日廠忙增產(chǎn)EV用次世代半導(dǎo)體「碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體」，其中東芝(Toshiba)傳出計(jì)劃將產(chǎn)量擴(kuò)增至10倍。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍3日?qǐng)?bào)導(dǎo)，因看好來(lái)自電動(dòng)車(EV)的需求將擴(kuò)大，也讓東芝(Toshiba)、羅沐(Rohm)等日本廠商開始相繼增產(chǎn)節(jié)能性能提升的EV用次世代半導(dǎo)體。各家日廠增產(chǎn)的對(duì)象為用來(lái)供應(yīng)\控制電力的「功率半導(dǎo)體」產(chǎn)品，不過(guò)使用的材料不是現(xiàn)行主流的硅(Si)、而是采用了碳化硅(SiC)。SiC功率半導(dǎo)體使用于EV逆變器上的話，耗電力可縮減5-8%、可提升續(xù)航距離，目前特斯拉(Tesla)和中國(guó)車廠已開始在部分車款上使用SiC功率半導(dǎo)體。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍報(bào)導(dǎo)指出，因看好來(lái)自EV的需求有望呈現(xiàn)急速擴(kuò)大，東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝電子元件及儲(chǔ)存裝置(Toshiba Electronic Devices & Storage)」計(jì)劃在2023年度將旗下姬路半導(dǎo)體工廠的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)量擴(kuò)增至2020年度的3倍、之后計(jì)劃在2025年度進(jìn)一步擴(kuò)增至10倍，目標(biāo)遲在2030年度取得1成以上市占率。另外，羅姆將投資500億日?qǐng)A、目標(biāo)在2025年之前將SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高至現(xiàn)行的5倍以上。羅姆位于福岡縣筑后市的工廠內(nèi)已蓋好SiC新廠房、目標(biāo)2022年啟用，中國(guó)吉利汽車的EV已決定采用羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，而羅姆目標(biāo)在早期內(nèi)將市占率自現(xiàn)行的近2成提高至3成羅姆在該領(lǐng)域一直處于地位，2010 年量產(chǎn)了世界上個(gè) SiC 晶體管。2009 年收購(gòu)的德國(guó)子公司 SiCrystal 生產(chǎn) SiC 晶圓，使羅姆具備了從頭到尾的生產(chǎn)能力。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍近在日本福岡縣的一家工廠開設(shè)了一個(gè)額外的生產(chǎn)設(shè)施，這是將產(chǎn)能增加五倍以上的計(jì)劃的一部分。富士電機(jī)考慮將SiC功率半導(dǎo)體開始生產(chǎn)的時(shí)間自原先計(jì)劃(2025年)提前半年到1年。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍日本研調(diào)機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)7月9日公布調(diào)查報(bào)告指出，隨著車輛價(jià)格下滑、基礎(chǔ)設(shè)施整備完善，長(zhǎng)期來(lái)看，EV將成為電動(dòng)化車款的主流，預(yù)估2022年EV銷售量將超越HV(油電混合車)，2035年EV銷售量預(yù)估將大幅擴(kuò)增至2,418萬(wàn)臺(tái)、將較2020年跳增10倍(暴增約1,000%)。富士經(jīng)濟(jì)6月10日公布調(diào)查報(bào)告指出，自2021年以后，在汽車/電子設(shè)備需求加持下，預(yù)估碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以每年近20%的速度呈現(xiàn)增長(zhǎng)，2030年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估為2,490億日?qǐng)A、將較2020年跳增3.8倍(成長(zhǎng)約380%)。其中，因汽車/電子設(shè)備需求加持，來(lái)自中國(guó)、北美、歐洲的需求揚(yáng)升，預(yù)估2030年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至1,859億日?qǐng)A、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大至166億日?qǐng)A、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估為465億日?qǐng)A。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍法國(guó)市場(chǎng)研究公司 Yole Developpement 預(yù)測(cè)，到 2026 年，碳化硅功率芯片市場(chǎng)將比 2020 年增長(zhǎng)六倍，達(dá)到 44.8 億美元。