裝卸搬運(yùn)安裝半導(dǎo)體設(shè)備-電鏡安裝搬遷的亞瑟報(bào)道：半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍因?yàn)楦咝阅苄酒男枨?，芯片制造工藝一直已?jīng)在摩爾定律的指導(dǎo)下，推到了3納米，隨之而來的是各種制造挑戰(zhàn)。在semiengineering的這個(gè)采訪中，Siemens Digital Industries Software的 MPC 和掩模缺陷管理總監(jiān) Peter Buck ；Hoya 技術(shù)戰(zhàn)略高級(jí)總監(jiān) Bryan Kasprowicz；和D2S的首席執(zhí)行官 Aki Fujimura就光罩的相關(guān)問題進(jìn)行了討論。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍是的，至少在半導(dǎo)體市場(chǎng)的高性能計(jì)算細(xì)分市場(chǎng)中，我們肯定需要每瓦特和每美元更多的計(jì)算量。智能家居產(chǎn)品和其他物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備更喜歡更低的成本而不是更高的性能。但天氣預(yù)報(bào)、比特幣挖掘或深度學(xué)習(xí)等重度模擬正在推動(dòng)對(duì) 3nm 及以上技術(shù)的需求。幸運(yùn)的是，我們將繼續(xù)擴(kuò)大規(guī)模，盡管摩爾定律正在發(fā)生變化。該行業(yè)跨學(xué)科和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的協(xié)作能力至關(guān)重要。這樣，行業(yè)才能繼續(xù)取得進(jìn)步。這是一件好事，因?yàn)槲覀冊(cè)?D2S 所做的半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍都取決于它。我們熱切期待下一代 GPU、CPU、內(nèi)存、通信芯片等，所有這些都將繼續(xù)按照摩爾定律擴(kuò)展。對(duì)于極紫外 (EUV) 光刻時(shí)代的逆光刻技術(shù) (ILT：inverse lithography technology )，多年來我們需要更強(qiáng)大的機(jī)器來提供更半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的晶圓。即使是現(xiàn)在，我們也可以使用 10 倍以上的計(jì)算能力。由于我們需要我們的技術(shù)來針對(duì)越來越小的幾何形狀，因此計(jì)算需求在此基礎(chǔ)上不斷擴(kuò)大。毫無疑問。我們需要更多的計(jì)算能力。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在 EUV 中，您有反射光學(xué)元件。如果你將光垂直于鏡子曝光，它會(huì)直接回到 EUV 掃描儀的光學(xué)柱中，并且不會(huì)擊中晶圓。例如，當(dāng)您照鏡子時(shí)，您看到的是自己的倒影。如果您在反射式光學(xué)元件下的 EUV 掃描儀內(nèi)執(zhí)行此操作，也會(huì)發(fā)生同樣的事情。所以在 EUV 中，光半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍角度照射到掩模上。因?yàn)槟阌幸粋€(gè)角度，所以 EUV 掩模和吸收器（absorber）的深度和高度很重要。在某些時(shí)候，光罩上的吸收器可能會(huì)變得太高。在這種情況下，它不僅僅是“X”和“Y”，而是現(xiàn)在您正在查看它的“Z”組件。因此，當(dāng)您為其添加深度時(shí)，您會(huì)開始獲得一些所謂的陰影效果。如果這不是問題，我們可能會(huì)在 EUV 掩模上使用更厚的吸收器，即使在 7nm 或人們開始實(shí)施 EUV 光刻的時(shí)候。因此，我們?cè)噲D使吸收器盡可能薄，以減輕這些mask 3D 效果。因此，您使用的吸收器越薄，您對(duì)這些 3D 效果（例如shadowing, telecentricity和pitch walking等）的影響就越小。但這也有很多其他的含義。具體來說，當(dāng)您嘗試使用較小的功能進(jìn)行 OPC（光學(xué)鄰近校正）時(shí)，這些效果確實(shí)會(huì)產(chǎn)生影響。隨著音高的收緊，這些情況會(huì)變得更糟。但這也有很多其他的含義。具體來說，當(dāng)您嘗試使用較小的功能進(jìn)行 OPC（光學(xué)鄰近校正）時(shí)，這確實(shí)會(huì)產(chǎn)生影響。