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半導體設備搬運移位移入

2022-01-02  來自: 亞瑟半導體設備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):169

半導體設備搬運移位移入的亞瑟半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍報道:半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍積電的3nm雖然強大,但三星也在緊追不放,且其代工業(yè)務一直都有成本優(yōu)勢,而3nm制程的成本更加高昂,這方面三星可能會有更多的操作空間。面對高昂的成本,以及積電也在想辦法提升競爭力,特別是要在降低成本方面多花心思。為此,該公司推出了EUV持續(xù)改善計劃(CIP),在維持摩爾定律進程上,希望減少半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍制程EUV光罩使用道數(shù),從而降低成本。ASML今年下半年推出的EUV光刻機NXE:3600D價格高達1.4~1.5億美元,每小時吞吐量達160片12吋晶圓,基于5nm制程的4nm進行改良,EUV光罩層大約在14層之內,3nm制程將達25層,導致成本暴增,不是所有的客戶都愿意采用。透過CIP,臺積電有望降至20層,雖然芯片尺寸將略為增加,但是有助于降低生產(chǎn)成本與晶圓代工報價,讓客戶更有意愿導入3nm制程。半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍除了制程工藝,臺積電在封裝方面也在不斷更新內容。8月,在 HotChips33 年度會議期間,該公司介紹了其半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍封裝技術路線圖,并且展示了為下一代Chiplet架構和內存設計做好準備的半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍新一代 CoWoS 解決方案。據(jù)悉,臺積電半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍第5代CoWoS封裝技術,有望將晶體管數(shù)量增加至第3代封裝解決方案的20倍。新封裝將增加 3 倍的中介層面積、8 個 HBM2e 堆棧(容量高達 128 GB)、全新的硅通孔(TSV)解決方案、厚 CU 互連、以及新的 TIM(Lid 封裝)方案。之后,臺積電將升級到第6代CoWoS 封裝工藝,其特點是能夠集成更多的Chiplet和 DRAM 內存,預計可在同一封裝內容納多達8組HBM3內存和2組Chiplet。臺積電還將以 Metal Tim 的形式,提供半‍導‌體‍設‌備‍搬‌運‍ SoC 散熱解決方案。與初代 Gel Tim 方案相比,Metal Tim 有望將封裝熱阻降低到前者的 0.15 倍。



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