半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)一站式服務(wù)的亞瑟精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍報(bào)道：精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍被半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奉為圭臬的“摩爾定律”就將邁入第57個(gè)年頭，同時(shí)，它也將進(jìn)入“將死”的又一年。自1965年，摩爾定律精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍被提出來(lái)以后，精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍芯片技術(shù)基本都是在這原理下運(yùn)行，它見(jiàn)證了人類(lèi)信息技術(shù)前進(jìn)的腳步。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍回顧過(guò)去，從本世紀(jì)初開(kāi)始，就不斷有業(yè)界大佬預(yù)測(cè)摩爾定律“將死”。2004年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖（ITRS）修訂版就預(yù)測(cè)，摩爾定律這種線(xiàn)性發(fā)展可能繼續(xù)保持10-15年。2013年，美研究項(xiàng)目局認(rèn)為，2020年、7納米將是芯片的制程節(jié)點(diǎn)。其微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主管羅伯特-克羅韋爾表示，預(yù)計(jì)芯片產(chǎn)業(yè)會(huì)花大工夫推進(jìn)5納米制程，這會(huì)將摩爾定律的終結(jié)時(shí)間推遲到2022年。2015年，博通首席技術(shù)官Henry Samueli表示：“摩爾定律已經(jīng)頭發(fā)花白，步履蹣跚了。它還沒(méi)死，但是時(shí)候退休了。”在“摩爾定律將死”的無(wú)形之劍下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一年又一年，到如今芯片制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)沖刺3nm。而研究人員也“頭頂懸劍”，不斷地開(kāi)拓新材料、新晶體管、新設(shè)備等領(lǐng)域，以此來(lái)迎接未來(lái)芯片的挑戰(zhàn)。眾所周知，晶圓的原始材料是硅，硅作為一種半導(dǎo)體可以通過(guò)引入少量雜質(zhì)的方法，調(diào)節(jié)為良好的導(dǎo)體或者絕緣體。然而，隨著近年來(lái)集成電路的制程進(jìn)入5nm以下，晶體管的尺寸不斷縮近其物理極限，傳統(tǒng)的硅基材料越來(lái)越難以支撐集成電路性能的進(jìn)一步發(fā)展。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍二維材料是一種從2004年發(fā)展起來(lái)的新材料，以過(guò)渡金屬硫族化合物（精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍）為代表，包括通式為MX₂的過(guò)渡金屬二鹵化物（精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍），其中M為過(guò)渡金屬（例如，Mo或W），X為硫族元素（例如S、Se或Te）。這種材料具有極限厚度、高遷移率和后端異質(zhì)集成等特點(diǎn)，將有望變革傳統(tǒng)集成電路的架構(gòu)，受到了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注。目前，英特爾、三星、臺(tái)積電等處于芯片技術(shù)前沿的大廠們都已布局這個(gè)領(lǐng)域。為了應(yīng)對(duì)未來(lái)芯片危機(jī)，歐洲也致力于石墨烯等二維材料研發(fā)。此外，我國(guó)北京大學(xué)、南京大學(xué)等也在這個(gè)領(lǐng)域取得了技術(shù)突破