無塵室設備搬運搬遷定位-無塵室設備裝卸捆包
2021-10-24
來自:
亞瑟半導體設備安裝（上海）有限公司
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無塵室設備搬運搬遷定位-無塵室設備裝卸精密設備搬運捆包的亞瑟報道：
在精密設備搬運行業(yè)中，我們看到越來越多的系統(tǒng)示例通過異構集成構建，利用 2.5D 或 3D 連接。在這次采訪中，imec 高級研究員、研發(fā)副總裁兼 3D 系統(tǒng)集成項目總監(jiān) Eric Beyne 回顧了趨勢并討論了構建下一代 3D 片上系統(tǒng)所需的技術。各級報告的進展將使系統(tǒng)設計和開發(fā)進入下一個層次，有望在系統(tǒng)的功率-性能-面積-成本 (PPAC) 指標中獲得巨大回報。精密設備搬運：“通過技術、材料和設備架構的創(chuàng)新，傳統(tǒng) CMOS 技術的擴展——導致單片 CMOS 單芯片片上系統(tǒng) (SOC)——將持續(xù)到下一個十年。CMOS 縮放越來越多地得到設計技術協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) 的補充，以提高系統(tǒng)的功率、性能、面積和成本 (PPAC)。但隨著成本和技術復雜性的增加，這些方法不再能在系統(tǒng)級提供足夠的收益。對于受到所謂內存墻挑戰(zhàn)的數據密集型高性能應用程序尤其如此，即無法足夠快地訪問數據。精密設備搬運為了進一步優(yōu)化系統(tǒng)的 PPAC 指標，半導體行業(yè)越來越關注多芯片異構集成解決方案。精密設備搬運按照這種方法，可以單獨優(yōu)化芯片上的不同功能（使用不同的（節(jié)點）技術），并且可以在系統(tǒng)的子組件之間實現(xiàn)更短和更快的連接。“異構”實現(xiàn)（例如高帶寬存儲器 (HBM)）主要依賴于 2.5 或 3D 小芯片方法，涉及單獨設計和處理的小芯片芯片。Die-to-die 通信主要使用標準化接口物理層 (PHY) IP 塊實現(xiàn)，將應用限制為延遲容忍功能，例如最后一級內存緩存。精密設備搬運盡管小芯片方法顯著拓寬了異構系統(tǒng)集成的范圍，但我們將見證不再需要中間接口 PHY 層的真正 3D-SoC 設計的演變。這些 3D SoC 將通過巧妙地協(xié)同設計不同的 3D 分區(qū)和實現(xiàn)直接的裸片到裸片 3D 互連來實現(xiàn)。”精密設備搬運實現(xiàn) 3D SoC 需要重新設計系統(tǒng)架構，需要電子設計自動化 (EDA) 工具的創(chuàng)新，以在一個視圖中實現(xiàn)不同設備的協(xié)同設計。精密設備搬運在這種情況下，imec 與其 EDA 軟件合作伙伴合作開發(fā)用于自動網表分區(qū)和 3D 路徑優(yōu)化的解決方案。在這種情況下，我們最近報告了與 Cadence 合作開發(fā)的新 3D 設計流程。該軟件有助于預測提議的 3D 分區(qū)是否會產生強大且功能齊全的 3D SoC，從而使異構集成更接近工業(yè)現(xiàn)實精密設備搬運其他貢獻來自 3D 集成技術開發(fā)——3D SoC 的關鍵推動因素。我們與材料和設備供應商一起開發(fā)了各種 3D 互連技術，涵蓋從毫米（封裝堆疊）到小于 100 納米（晶體管堆疊）的廣泛互連間距。我們開發(fā)了冷卻解決方案（例如基于沖擊的冷卻），以更有效地處理越來越密集的高性能片上系統(tǒng)中不斷增加的功率。”背面供電 (BSPD) 是另一項有前途的技術發(fā)展，可以幫助實現(xiàn)高性能應用的 3D SoC精密設備搬運在 BSPD 網絡 (BSPDN) 中，從邏輯芯片的正面到背面去除了功率傳輸和功率轉換——到目前為止，它僅用作載體。因此，可以通過減薄的背面直接向高級微處理器核心芯片供電，而無需通過更高電阻的正面。這可以放寬對 IC 系統(tǒng)電源的要求，這些要求越來越受到功率密度、縮放晶體管的較低電源電壓（因此，更大的電流）以及激進的 IR 壓降的挑戰(zhàn)。我們的一個合作伙伴最近宣布將在其未來的技術節(jié)點芯片之一中實施 BSPDN 概念。精密設備搬運我們現(xiàn)在可以設想一個多核處理器，它由一個內存緩存晶圓組成，使用細間距晶圓到晶圓鍵合堆疊在高級微處理器核心邏輯晶圓的頂部。電源通過 BSPDN 直接提供給核心邏輯晶體管。這種邏輯上的存儲器結構隨后可以堆疊到包含內部和外部互連的第三個芯片上——使用較舊的技術節(jié)點進行了優(yōu)化。”
