冷凍電鏡裝卸搬運 fib電鏡裝卸搬運的亞瑟報道：精‌密‍設‌備‍搬‌運‍主要客戶完成IP設計并開始硅驗證的同時，也在繼續(xù)開發(fā)。除了CMOS邏輯制程外，臺積電還開展了廣泛的其他半導體技術(shù)的研發(fā)，為客戶提供移動SoC和其他應用所需的功能。節(jié)點車輪滾滾向前的同時，成熟制程也越來越顯現(xiàn)其重要性。尤其是應用在特殊應用（如車用、物聯(lián)網(wǎng)、指紋辨識、無線充電）的特殊制程，這些特殊制程大都采用的是16nm和28nm等成熟節(jié)點。稱霸精‌密‍設‌備‍搬‌運‍制程還不夠，臺積電正在沖成熟制程。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍一向在成熟制程鮮有更多布局的臺積電，2月份，臺積電決定擴大其在中國的28nm產(chǎn)能，但值得精‌密‍設‌備‍搬‌運‍注意的是，直到現(xiàn)在臺積電也基本從未關閉過晶圓廠，臺積電開創(chuàng)的無晶圓廠/代工業(yè)務模式，與“半導體業(yè)務模式”，以及現(xiàn)在所說的“集成設備制造商”或IDM相比，有幾個優(yōu)勢。在舊模式中，一家半導體公司擁有晶圓廠，整個思路就是讓晶圓廠完全填滿業(yè)務線。該公司需要的只是足夠的業(yè)務來填補它的晶圓廠，但這還不夠，而且超額的折舊是一個財務負擔。而且當一家晶圓廠離前沿太遠，可能就沒有足夠的業(yè)務可以在其中運行，而該晶圓廠就會關閉?；蛘撸谠S多公司同時擁有存儲和邏輯業(yè)務的日子里，他們會運行存儲，然后將fab轉(zhuǎn)換為邏輯，關閉它而臺積電不同，臺積電會為那些非前沿的制程尋找新的技術(shù)，尋找新的客戶，并維持晶圓廠的運轉(zhuǎn)。像CMOS圖像傳感器(CIS)、新型非易失性存儲器或MEMS等特殊的應用。隨著臺積電年營收規(guī)模將突破1.4億元、并邁向挑戰(zhàn)1.7億元關卡之際，成熟制程的轉(zhuǎn)型發(fā)展將扮演另一個長期營運動能。這就好像亨利·福特(Henry Ford)T型車工廠還在運轉(zhuǎn)，但現(xiàn)在為航空航天工業(yè)生產(chǎn)渦輪葉片。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍在CMOS圖像傳感器技術(shù)領域，2002年臺積電協(xié)助客戶將0.8微米畫素的產(chǎn)品導入市場，并于九個月內(nèi)再將制程推進到0.7微米畫素，并及時導入量產(chǎn)。在縮小畫素尺寸的同時，相同芯片大小的影像傳感器元件的分辨率可以提高30%。還采用0.13微米雙載子-互補式金氧半導體-擴散金屬氧化半導體技術(shù)及45納米堆疊式CIS（Stacked CIS）技術(shù)，為客戶產(chǎn)出單光子雪崩式二極管（Single Photon Avalanche Diode, SPAD）三維傳感器產(chǎn)品。此外，為了應對堆棧式CIS技術(shù)中，影像訊號處理器產(chǎn)品更能及更低功耗的需求，進一步推出22ULL制程技術(shù)，并加速12FFC制程技術(shù)的開發(fā)。同時，臺積公司也建立了28納米CIS制程技術(shù)研發(fā)試產(chǎn)線，協(xié)助客戶未來開發(fā)CIS元件。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍在存儲領域，臺積電這幾年一直在新型存儲領域下功夫。在嵌入式非易失性存儲器(NVM)技術(shù)上，臺積電在2020年也實現(xiàn)了幾個重大的里程碑。在40nm節(jié)點上，該公司成功地批量生產(chǎn)了基于NOR的split-gate電池技術(shù)，以支持消費電子和眾多汽車電子應用。在28nm節(jié)點上，公司用于惠普移動計算和惠普低泄漏平臺的嵌入式flash開發(fā)保持了穩(wěn)定的高產(chǎn)量，獲得了消費電子級和汽車電子1級用途的技術(shù)資格，并計劃于2021年獲得汽車電子高級0級的技術(shù)資格。2020年臺積電開始生產(chǎn)28nm電阻隨機存取存儲器(RRAM)，這是臺積電為價格敏感的物聯(lián)網(wǎng)市場所開發(fā)的低成本解決方案。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍在嵌入式MRAM技術(shù)上，該公司獲得了成功量產(chǎn)22nm MRAM的技術(shù)資格，2020年已開始生產(chǎn)22nm磁隨機存取存儲器(MRAM)，用于下一代嵌入式內(nèi)存MCU、汽車設備、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應用。臺積電預計22nm節(jié)點的MRAM將在2021年獲得用于汽車電子應用的技術(shù)資格。在16nm節(jié)點上，產(chǎn)量穩(wěn)定提高，預計將在2021年獲得技術(shù)資格，為下一代微處理器嵌入式內(nèi)存，以及許多汽車、物聯(lián)網(wǎng)和AI設備應用做準備。另外，在2019年，臺積電開發(fā)了用于汽車電子和微控制器單元（MCU）的28nm嵌入式閃存技術(shù)。臺積電的嵌入式閃存技術(shù)范圍從 0.5 微米 (µm) 到28納米，并提供多種閃存 IP選項以滿足各種產(chǎn)品設計要求。2020年臺積電獲得了28nm eFlash汽車電子及微控制器(MCU)應用技術(shù)資格。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍在混合信號/射頻 CMOS (MS/RF) 技術(shù)方面，臺積電占據(jù)了70%的市場份額。2018 年，臺積電利用其28納米射頻 (28HPC+射頻) 技術(shù)，交付了業(yè)界射頻工藝設計套件 (PDK)，以支持 5G 毫米波射頻和汽車雷達產(chǎn)品設計所需的110GHz毫米波和汽車級150°C的需要。此外，為了提高射頻開關性能，臺積電還開發(fā)了一種40nm特殊工藝，用于6Ghz以下應用的5G射頻有限元(前端模塊)設計。而為了適應更高的頻率，臺積電開發(fā)了一種28HPC+工藝，用于增強5G毫米波有限元設計中的功率放大器性能。在16nm技術(shù)方面，臺積電的16nm FinFET Compact Technology（16 FFC）領代工廠于2018年開始為客戶量產(chǎn)5G移動網(wǎng)絡芯片。該技術(shù)已擴展到下一代無線局域網(wǎng)（WLAN 802.11ax）和毫米波應用，以及無線連接應用。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍在高壓（HV）領域，2020年，臺積電還開發(fā)了芯片疊片(WoW 28HPC/40HV)，產(chǎn)品收率穩(wěn)定，該技術(shù)可與28HPC+媲美，降低了60%的有功功率。此外，28HV單片技術(shù)完成了客戶IP驗證、鑒定和128Mb SRAM良率驗證。這些技術(shù)是4K分辨率小面板、OLED(有機發(fā)光二極管)和120Hz顯示驅(qū)動芯片的前沿技術(shù)。臺積電完成了OLED在硅上的產(chǎn)品認證，并以優(yōu)異的良率和照明均勻性轉(zhuǎn)向AR/VR應用的量產(chǎn)。2021年，臺積電計劃提供該技術(shù)的改進版本，并部署8V晶體管，以提高WoW堆疊效率，這將意味著在28HV上的OLED TDDI(觸控顯示驅(qū)動集成)應用的性能和成本降低。