電鏡搬運(yùn)維修維護(hù)的亞瑟報(bào)道：近些年來(lái)，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍隨著汽車(chē)和工業(yè)的升級(jí)，以SiC為代表的第三代化合物開(kāi)始受到行業(yè)的青睞。但受到成本的影響，SiC的市場(chǎng)還處于爆發(fā)的前夕。從實(shí)際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本，因而，SiC何時(shí)才能邁進(jìn)8英寸時(shí)代也成為了產(chǎn)業(yè)聚焦的熱點(diǎn)之一。日前，意法半導(dǎo)體（半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍）所宣布的一則消息，則讓產(chǎn)業(yè)看到了8英寸SiC時(shí)代到來(lái)的希望——ST在其官方新聞稿中表示，其瑞典北雪平工廠(chǎng)制造出首批8英寸SiC晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。晶圓升級(jí)到200mm標(biāo)志著擴(kuò)大產(chǎn)能，以及支持汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計(jì)劃取得階段性成功。那么，目前國(guó)內(nèi)外8英寸SiC的情況到底如何，8英寸SiC時(shí)代才能真正開(kāi)啟？眾所周知，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開(kāi)始從8英寸邁向了12英寸，硅晶圓的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)是否可以助力SiC晶圓向更大面積發(fā)展，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點(diǎn)又在哪里？深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理和巍巍博士介紹道：“與硅材料芯片相比，8英寸和6英寸SiC生產(chǎn)的主要差別在高溫工藝上，例如高溫離子注入，高溫氧化，高溫等，以及這些高溫工藝所需求的hard mask（硬掩模）工藝等。”高溫工藝關(guān)乎著SiC的良率，這也是各大SiC廠(chǎng)商所著力研發(fā)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。