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電鏡搬運(yùn)維修維護(hù)

2021-08-03  來(lái)自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):191

電鏡搬運(yùn)維修維護(hù)的亞瑟報(bào)道:近些年來(lái),半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍隨著汽車(chē)和工業(yè)的升級(jí),以SiC為代表的第三代化合物開(kāi)始受到行業(yè)的青睞。但受到成本的影響,SiC的市場(chǎng)還處于爆發(fā)的前夕。從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本,因而,SiC何時(shí)才能邁進(jìn)8英寸時(shí)代也成為了產(chǎn)業(yè)聚焦的熱點(diǎn)之一。日前,意法半導(dǎo)體(半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍)所宣布的一則消息,則讓產(chǎn)業(yè)看到了8英寸SiC時(shí)代到來(lái)的希望——ST在其官方新聞稿中表示,其瑞典北雪平工廠(chǎng)制造出首批8英寸SiC晶圓片,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。晶圓升級(jí)到200mm標(biāo)志著擴(kuò)大產(chǎn)能,以及支持汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計(jì)劃取得階段性成功。那么,目前國(guó)內(nèi)外8英寸SiC的情況到底如何,8英寸SiC時(shí)代才能真正開(kāi)啟?眾所周知,半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開(kāi)始從8英寸邁向了12英寸,硅晶圓的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)是否可以助力SiC晶圓向更大面積發(fā)展,與硅晶圓相比,SiC晶圓的生產(chǎn)難點(diǎn)又在哪里?深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理和巍巍博士介紹道:“與硅材料芯片相比,8英寸和6英寸SiC生產(chǎn)的主要差別在高溫工藝上,例如高溫離子注入,高溫氧化,高溫等,以及這些高溫工藝所需求的hard mask(硬掩模)工藝等。”高溫工藝關(guān)乎著SiC的良率,這也是各大SiC廠(chǎng)商所著力研發(fā)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。


而除了與硅晶圓在生產(chǎn)工藝上有所差異以外,在SiC從6英寸向8英寸發(fā)展的過(guò)程中也存在著一些差異。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在功率半導(dǎo)體制造的離子注入、薄膜沉積、介質(zhì)刻蝕、金屬化等環(huán)節(jié),8英寸碳化硅與6英寸SiC的差距不大。”和巍巍博士指出:“8英寸SiC的制造難點(diǎn)主要集中在襯底生長(zhǎng)、襯底切割加工、氧化工藝。其中,襯底生長(zhǎng)方面,擴(kuò)徑到8英寸,對(duì)襯底生長(zhǎng)的難度會(huì)成倍增加;襯底切割加工方面,越大尺寸的襯底切割應(yīng)力、翹曲的問(wèn)題越顯著;氧化工藝一直是碳化硅工藝中的核心難點(diǎn),8英寸、6英寸對(duì)氣流和溫場(chǎng)的控制有不同需求,工藝需各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)。”顯然,SiC向更大晶圓面積發(fā)展的路并不好走,在這一點(diǎn)上,從SiC從4英寸走向6英寸的過(guò)程中便可略窺一二——據(jù) Yole 預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,2020 年4英寸SiC晶圓接近 10 萬(wàn)片,而 6英寸晶圓市場(chǎng)需求已超過(guò)8萬(wàn)片,預(yù)計(jì)將在2030年逐步超越4英寸晶圓。如此來(lái)看,8英寸SiC市場(chǎng)還處于爆發(fā)的前夜,那么,國(guó)內(nèi)外廠(chǎng)商是如何備戰(zhàn)8英寸SiC時(shí)代的帶來(lái)?他們現(xiàn)在的處于怎樣,半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍市場(chǎng)情況來(lái)看,目前SiC市場(chǎng)主要由Cree、英飛凌、羅姆半導(dǎo)體旗下SiCrystal、II-IV、新日鐵住金及道康寧等國(guó)外廠(chǎng)商占據(jù)著。同時(shí),根據(jù)市場(chǎng)的公開(kāi)資料顯示,這些廠(chǎng)商在進(jìn)入6英寸生產(chǎn)后,在近兩年來(lái),其中一部分廠(chǎng)商又對(duì)其6英寸產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行了擴(kuò)產(chǎn),并在積極推動(dòng)SiC向8英寸發(fā)展。從他們對(duì)8英寸SiC的布局進(jìn)程上看,目前在工藝、設(shè)備方面,已有外延爐、高溫氧化爐、高溫等設(shè)備商業(yè)化的8英寸設(shè)備銷(xiāo)售,并由多家巨頭IDM廠(chǎng)家進(jìn)行了采購(gòu)。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍大廠(chǎng)中,Cree(科銳)、II-VI(高意)、SiCrystal(羅姆集團(tuán)旗下子公司)、ST(意法半導(dǎo)體)等4家公司已擁有8英寸SiC襯底技術(shù),并有部分公司展示了其8英寸襯底。Cree在2015年展示了8英寸SiC樣品, 2019年完成了首批8英寸SiC晶圓樣品的制樣,正在美國(guó)達(dá)勒姆市新建的晶圓廠(chǎng)也規(guī)劃以8英寸SiC產(chǎn)品為主。II-VI和SiCrystal也已經(jīng)對(duì)外展示了8英寸SiC襯底樣品,II-VI在樣品展示上還早于Cree。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍而按照各大廠(chǎng)商的量產(chǎn)計(jì)劃來(lái)看,Cree的計(jì)劃是在2024年8英寸SiC晶圓工廠(chǎng)規(guī)劃達(dá)產(chǎn);今年4月,II-VI也表示,未來(lái)5年內(nèi),將SiC襯底的生產(chǎn)能力提高5至10倍,其中包括量產(chǎn)直徑8英寸的襯底;英飛凌方面則預(yù)計(jì)2023年左右開(kāi)始量產(chǎn)8英寸襯底,以2025年為目標(biāo),量產(chǎn)8英寸SiC襯底器件。


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