上海高精密設(shè)備裝卸搬運(yùn)
2021-07-03 來自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):266
上海高精密設(shè)備裝卸搬運(yùn)的亞瑟報(bào)道:在 2021 年 6 月的 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上,舉辦了一個(gè)關(guān)于“面向 2nm-CMOS 和新興存儲(chǔ)器的精密設(shè)備搬運(yùn)工藝和器件技術(shù)”的短期課程。在本文中,我將回顧前兩個(gè)介紹前沿邏輯器件的演講。這兩個(gè)演示文稿是互補(bǔ)的,并提供了對邏輯技術(shù)可能發(fā)平面 MOSFET 的柵極長度 (Gate length:Lg) 縮放限制在大約 25nm,因?yàn)閱伪砻鏂艠O(single surface gate)對亞表面泄漏( sub surface leakage)的控制很差。
運(yùn)營項(xiàng)目
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