半導(dǎo)體晶圓搬運(yùn)潔凈室設(shè)備搬運(yùn)搬遷你可能忘了IBM是一家大型芯片制造商。它今天提醒我們，世界上2納米芯片制造技術(shù)誕生于紐約奧爾巴尼的IBM研究所。在IBM研究院的阿爾巴尼工廠制造的2納米晶圓每十年是檢驗(yàn)?zāi)柖蓸O限的時(shí)期，2021年開(kāi)始的十年也不例外。隨著EUV技術(shù)的發(fā)展和其他技術(shù)的進(jìn)步，晶體管的尺寸已經(jīng)減小。目前，這項(xiàng)技術(shù)正成為瓶頸。根據(jù)IBM的新技術(shù)，這種架構(gòu)平衡了性能和能源效率——比目前主流的7Nm芯片快45%，功耗低75%。這則消息，就像一部大片，長(zhǎng)期以來(lái)主導(dǎo)著臺(tái)積電、三星和英特爾的芯片行業(yè)，讓IBM有了生存的感覺(jué)。

精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍澄清的是，工藝節(jié)點(diǎn)稱為“2nm”，這與傳統(tǒng)的線寬不同。

世界上精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍發(fā)現(xiàn)地芯片是2nm芯片制造技術(shù)，2nm標(biāo)簽，你明白了嗎。

在過(guò)去，這個(gè)尺寸曾經(jīng)是芯片上二維特征尺寸的一個(gè)等價(jià)度量，即90nm、65nm和40nm。

然而，隨著FinFET和其他3D晶體管設(shè)計(jì)的出現(xiàn)，當(dāng)前的工藝節(jié)點(diǎn)名稱是對(duì)“等效2D晶體管”設(shè)計(jì)的一種解釋。一般來(lái)說(shuō)，晶體管密度是一個(gè)測(cè)量，如英特爾所倡導(dǎo)的。

例如，英特爾的7Nm工藝與臺(tái)積電的5nm工藝完全相同；臺(tái)積電的5nm工藝沒(méi)有50%的改進(jìn)（它比7納米工藝提供15%的改進(jìn)）。把它稱為5nm過(guò)程是牽強(qiáng)的。據(jù)IBM稱，他們的“2nm”技術(shù)比臺(tái)積電的7Nm工藝好50%，所以現(xiàn)在寬松的標(biāo)準(zhǔn)是3.5Nm。但這不代表IBM的新消息沒(méi)有技術(shù)含量。IBM表示，這種新芯片的“指甲大小”芯片中有多達(dá)500億個(gè)晶體管，這使得IBM的晶體管密度達(dá)到每平方毫米3.33億個(gè)晶體管（MTr / mm 2）。不同的工廠有不同的官方名稱和不同的密度。令人吃驚的是，這些密度數(shù)字被列為晶體管庫(kù)的峰值密度，芯片面積是峰值關(guān)注點(diǎn)，而不是頻率擴(kuò)展功率和熱因素，處理器部分的密度是這些數(shù)字的一半。IBM沒(méi)有明確說(shuō)明全向柵/納米芯片晶體管的發(fā)展。圖為全新2nm處理器采用三層砷化鎵設(shè)計(jì)。

ibm2納米硅制造工藝的橫截面：GAA疊層。此前，三星推出了3nm的GAA，而臺(tái)積電則要等到2nm。相比之下，英特爾在5nm工藝中引入了某種形式的砷化鎵。該工藝由每個(gè)翅片中的三個(gè)柵繞（GAA）納米溝道組成。據(jù)IBM稱，這項(xiàng)技術(shù)的潛在好處可能包括：將手機(jī)的電池壽命提高四倍，并要求用戶每四天給手機(jī)充電一次。減少數(shù)據(jù)中心的碳足跡，數(shù)據(jù)中心占能源使用量的1%和5.8億兆焦耳。他們所有的服務(wù)器都基于2nm處理器，這可能會(huì)大大減少這個(gè)數(shù)量。大大加快了筆記本電腦的功能，從快速處理應(yīng)用程序，到方便的語(yǔ)言翻譯輔助，再到快速的互聯(lián)網(wǎng)接入。它有助于加快自動(dòng)車輛和其他自動(dòng)車輛的檢測(cè)和響應(yīng)時(shí)間。這項(xiàng)技術(shù)有利于數(shù)據(jù)中心能效、空間探索、人工智能、5g和6G量子計(jì)算等。IBM有可能挑戰(zhàn)臺(tái)積電嗎？英雄不再勇敢。藍(lán)色巨人IBM沒(méi)有芯片巨頭的形象。在那些年里，美國(guó)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)隨著SEMATECH聯(lián)盟的崛起，依靠IBM慷慨捐贈(zèng)的晶圓生產(chǎn)線。IBM將大量芯片生產(chǎn)外包給三星電子。在紐約的奧爾巴尼，仍然有一個(gè)芯片制造研究中心。該中心負(fù)責(zé)芯片的試運(yùn)行，與三星、英特爾簽署聯(lián)合技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議，并采用IBM的芯片制造技術(shù)。

紐約奧爾巴尼附近有許多大學(xué)和研究中心：例如，通用電氣的研發(fā)中心、IBM和一些相關(guān)的工廠。也就是說(shuō)，IBM正在大做文章，加入臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)。去年秋天，蘋果M1和A14與華為麒麟9000聯(lián)手，成為精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍批基于臺(tái)積電5納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)工藝的處理器。而三星則在追趕落后的5納米工藝。其他制造商，如AMD和高通公司，現(xiàn)在使用臺(tái)積電的7Nm芯片（高通的驍龍 888是在三星的5納米技術(shù)上制造的）。至于英特爾，芯片巨頭計(jì)劃在2025年和2027年完成3nm和2nm節(jié)點(diǎn)。該公司不太可能在2023年發(fā)布7Nm處理器，目前使用10nm和14nm芯片。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍承認(rèn)的是，英特爾的芯片往往有更高的晶體管密度比他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在納米數(shù)量。