相比上一代產(chǎn)品，P5510在IOPS性能上有45%左右的提升，而在大帶寬吞吐量上，讀寫分別較上一代提升118%和35%。在讀寫混合場景下的IOPS提升了50%。

另外在延遲，耐久度，TRIM時(shí)間等規(guī)格上均有不同程度的提升。

??半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?使用Intel 144LQLC NAND的新品D5-P5316 SSD具有15.36TB和30.72 TB兩個(gè)容量規(guī)格，采用U.2或E1.L接口形態(tài)。E1.L版本使得Intel可以采用Ruler形態(tài)的SSD在1U服務(wù)器中達(dá)到1PB的存儲容量。??半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?

由于P5316取代了較舊的P4326（64L QLC和PCIe3.0接口），它比基于TLC的P5510有了實(shí)質(zhì)性的升級。??半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?

除了在QLC產(chǎn)品線中引入英特爾第三代企業(yè)級NVMe SSD控制器外，P5316帶來的重要變化是閃存抽象層FTL的工作方式發(fā)生了重大變化。??半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?

P5316通過更改SSD的FTL，以64kB（而不是4kB）的頁面粒度工作，從而使板載DRAM用量減少了16倍。較粗粒度FTL節(jié)省的DRAM有助于使大容量SSD更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠，但以嚴(yán)重?fù)p害性能和增加小塊隨機(jī)寫入的寫放大效應(yīng)為代價(jià)。??半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?

業(yè)界的總體趨勢是對此類驅(qū)動器采用NVMe分區(qū)命名空間，從而規(guī)避隨機(jī)寫入帶來的問題。??半?導(dǎo)?體?設(shè)?備?搬?運(yùn)?