晶圓高精密設(shè)備裝卸搬運(yùn)捆包氣墊車運(yùn)輸-納米設(shè)備搬運(yùn)捆包卸車-高精度設(shè)備移位吊裝-設(shè)備高空吊裝搬運(yùn)
2020-08-26
來自:
亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝（上海）有限公司
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臺(tái)積電目前工藝是3nn工藝，在這代工藝上，臺(tái)積電繼續(xù)采用FinFET晶圓管。這主要是臺(tái)積電基于兩方面的考量，做出的決定：一方面，我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過不斷創(chuàng)新，用新的方式把FinFET的性能提升到一個(gè)新的高度；另一方面，我們希望能夠客戶能夠可以盡快升級(jí)其技術(shù)，獲得更優(yōu)的體驗(yàn)??精?密?設(shè)?備?搬?運(yùn)?。“基于這兩點(diǎn)考量，我們?cè)?nm工藝上，將繼續(xù)使用FinFET，而這一點(diǎn)工藝將在性能、功耗和密度上也會(huì)有明顯的提升”，張曉強(qiáng)說。如下圖所說，與5nm相比，臺(tái)積電的3nm的速度將提升10%到15%，功耗將提升25%到30%，邏輯密度將是前者的1.7倍，SRAM密度也將能提升20%，就連模擬密度也提升了10%。根據(jù)臺(tái)積電規(guī)劃，3nm工藝將在2022年下半年進(jìn)行量產(chǎn)。曉強(qiáng)指出，晶體管是半導(dǎo)體技術(shù)的核心，是上世紀(jì)偉大的發(fā)明之一。而經(jīng)過過去數(shù)十年的演變，晶體管已經(jīng)從平面走向了3D。他表示，雖然我們現(xiàn)在的芯片還被成為硅芯片，但現(xiàn)在已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體材料被住入到工藝的芯片中，以改善提高半導(dǎo)體的質(zhì)量和穩(wěn)定性。張曉強(qiáng)表示，在未來，一些新的2D材料和硫化物，以及NANO SHEET架構(gòu)等選擇，將會(huì)成為未來芯片性能提升的潛在解決方案。來到臺(tái)積電方面，據(jù)張曉強(qiáng)介紹，他們?cè)趎anosheet方面已經(jīng)有超過15年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。從下圖左圖可以看到臺(tái)積電目前能做到的nanosheet構(gòu)造。這種設(shè)計(jì)能大大改善晶體管的質(zhì)量，這在低電壓的場(chǎng)景下，效果更為明顯?！拔覀円呀?jīng)成功生產(chǎn)出了32 Mb nano-sheet的SRAM”，張曉強(qiáng)說。其在低電壓上的表現(xiàn)，能為未來的低功耗因公提供廣泛的支持來到2D材料方面，張曉強(qiáng)表示，臺(tái)積電認(rèn)為包括硫化鉬和硫化鎢在內(nèi)的的一系列硫化材料顯示出非常好的特性。能符合未來的小節(jié)點(diǎn)的溝道各種需求。從下圖右可以看到，臺(tái)積電基于硫化物2D材料獲得了歷史新高的On-current。張曉強(qiáng)進(jìn)一步指出，在芯片未來的設(shè)計(jì)，電源管理變得越來越重要，而在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，一般會(huì)使用一個(gè)叫做Power Gating的晶體管來控制電流的開關(guān)，這個(gè)晶體管目前的設(shè)計(jì)是將其放置在硅襯底上，這就必然帶來了的功耗浪費(fèi)。而臺(tái)積電的研發(fā)團(tuán)隊(duì)則成功的把碳納米管嵌入到一個(gè)CMOS的設(shè)計(jì)中，用來實(shí)現(xiàn)Power Gating的作用，這成功解決了上述的問題。也給未來的應(yīng)用帶來了新的機(jī)會(huì)，縮小了面積，這將給未來的微縮提供新的思路。??精?密?設(shè)?備?搬?運(yùn)?在EUV方面，臺(tái)積電已經(jīng)進(jìn)行了深入的研究，公司也跟ASML等多個(gè)公司合作，推進(jìn)EUV的商用，目前公司在EUV的OPC、光罩和光阻等多個(gè)方面都有投入。目前，臺(tái)積電在EUV方面有了一個(gè)創(chuàng)舉，通過他們的實(shí)現(xiàn)，獲得了業(yè)界的mental pitch。這對(duì)于未來的晶體管的微縮，是非常重要的我們知道，現(xiàn)在的芯片越來越復(fù)雜，工藝的開發(fā)跟芯片設(shè)計(jì)的結(jié)合也變得越來越重要，為此臺(tái)積電的工藝開發(fā)和設(shè)計(jì)隊(duì)伍一起工作，推動(dòng)DTCO的發(fā)展，臺(tái)積電在這方面也獲得了優(yōu)越的成績(jī)。這對(duì)推動(dòng)未來芯片的發(fā)展同樣重要。張曉強(qiáng)指出，未來的半導(dǎo)體發(fā)展不應(yīng)該只關(guān)注晶體管電流，在速度方面提升方面面臨的挑戰(zhàn)還來自電阻和電容，這兩方面如果不能提升，將會(huì)影響晶體管的繼續(xù)微縮，臺(tái)積電在這方面也做了大量的研發(fā)工作。??精?密?設(shè)?備?搬?運(yùn)?先看晶體管方面，我們知道晶體管有一個(gè)重要的元件，叫做“gate t0 drain”，這部分變得非常重要。對(duì)晶體管的質(zhì)量有重要的影響，臺(tái)積電通過一個(gè)創(chuàng)新技術(shù)將其降低。在未來的晶體管設(shè)計(jì)中，后端的RC delay變得非常重要，臺(tái)積電在這方面也有深入的研究。而這些技術(shù)也都會(huì)微未來的晶體管微縮提供重要貢獻(xiàn)。??精?密?設(shè)?備?搬?運(yùn)?www.dealvat.com晶圓高精密設(shè)備裝卸搬運(yùn)捆包氣墊車運(yùn)輸-納米設(shè)備搬運(yùn)捆包卸車-高精度設(shè)備移位吊裝-設(shè)備高空吊裝搬運(yùn)
